4N25-300E AVAGO

Symbol Micros: OO4N25-300e
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP06smd
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einzeln, CTR 20 %, Vce 30 V, Uiso 2,5 kV, Transistor mit Sockel 4N25-300E (ROHR), 4N25-500E (T&R)

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Parameter
Klickrate (CTR): 20%
Gehäuse: DIP06smd
Ausgang-Typ: Transistor with Base
Isolationsspannung: 2500V
Ausgangsspannung: 30V
Hersteller: BROADCOM Hersteller-Teilenummer: 4N25-300E RoHS Gehäuse: PDIP06smd  
Auf Lager:
14 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,5613 0,4164 0,3106 0,2600 0,2439
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Standard-Verpackung:
20
Klickrate (CTR): 20%
Gehäuse: DIP06smd
Ausgang-Typ: Transistor with Base
Isolationsspannung: 2500V
Ausgangsspannung: 30V

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