4N25SM
Symbol Micros:
OO4N25ltvs
Gehäuse: PDIP06smd
einzelner CTR 20 % Vce 30 V Uiso 7,5 kV Transistor mit Sockel 4N25S-TA1; 4N25S-LIT;
Parameter
| Klickrate (CTR): | 20% |
| Gehäuse: | DIP06smd |
| Ausgang-Typ: | Transistor with Base |
| Isolationsspannung: | 7500V |
| Ausgangsspannung: | 30V |
Hersteller: LITE-ON
Hersteller-Teilenummer: 4N25S-TA1 RoHS
Gehäuse: PDIP06smd
Auf Lager:
1000 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2566 | 0,1364 | 0,1057 | 0,0976 | 0,0935 |
| Klickrate (CTR): | 20% |
| Gehäuse: | DIP06smd |
| Ausgang-Typ: | Transistor with Base |
| Isolationsspannung: | 7500V |
| Ausgangsspannung: | 30V |
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