4N35-500E AVAGO

Symbol Micros: OO4N35-500e
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Gehäuse: PDIP06smd
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einzelner CTR 100 % Vce 30 V Uiso 3,55 kV Transistor mit Sockel

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Parameter
Klickrate (CTR): 100%
Gehäuse: DIP06smd
Ausgang-Typ: Transistor with Base
Isolationsspannung: 3,55kV
Ausgangsspannung: 30V
         
 
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Gehäuse: DIP06smd
Ausgang-Typ: Transistor with Base
Isolationsspannung: 3,55kV
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