4N35SM
Symbol Micros:
OO4N35sm
Gehäuse: PDIP06smd
einzelner CTR 100 % Vce 30 V Uiso 4,17 kV Transistor mit Sockel 4N35-SMD-I; 4N35SM; 4N35SR2M;
Parameter
| Klickrate (CTR): | 100% |
| Gehäuse: | DIP06smd |
| Ausgang-Typ: | Transistor with Base |
| Isolationsspannung: | 4170V |
| Ausgangsspannung: | 30V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: 4N35SM RoHS
Gehäuse: PDIP06smd
Auf Lager:
200 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5674 | 0,3568 | 0,2777 | 0,2634 | 0,2466 |
| Klickrate (CTR): | 100% |
| Gehäuse: | DIP06smd |
| Ausgang-Typ: | Transistor with Base |
| Isolationsspannung: | 4170V |
| Ausgangsspannung: | 30V |
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