6N136-300E
Symbol Micros:
OO6N136-300e
Gehäuse: PDIP08smd
einzelner CTR 19-50 % Vce 20 V Uiso 3,75 kV Transistor mit Sockel 6N136-500E; 6N136300; 6N136-300E;
Parameter
Klickrate (CTR): | 19-50% |
Gehäuse: | DIP08smd |
Ausgang-Typ: | Transistor with Base |
Isolationsspannung: | 3750V |
Ausgangsspannung: | 20V |
Hersteller: AVAGO
Hersteller-Teilenummer: 6N136-500E RoHS
Gehäuse: PDIP08smd
Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,4069 | 0,9849 | 0,8348 | 0,7621 | 0,7410 |
Hersteller: BROADCOM
Hersteller-Teilenummer: 6N136-300E
Gehäuse: PDIP08smd
Externes Lager:
750 stk.
Anzahl Stück | 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7410 |
Hersteller: BROADCOM
Hersteller-Teilenummer: 6N136-500E
Gehäuse: PDIP08smd
Externes Lager:
28000 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7410 |
Klickrate (CTR): | 19-50% |
Gehäuse: | DIP08smd |
Ausgang-Typ: | Transistor with Base |
Isolationsspannung: | 3750V |
Ausgangsspannung: | 20V |
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