6N136-300E

Symbol Micros: OO6N136-300e
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP08smd
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einzelner CTR 19-50 % Vce 20 V Uiso 3,75 kV Transistor mit Sockel 6N136-500E; 6N136300; 6N136-300E;

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Parameter
Klickrate (CTR): 19-50%
Gehäuse: DIP08smd
Ausgang-Typ: Transistor with Base
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 20V
Hersteller: AVAGO Hersteller-Teilenummer: 6N136-500E RoHS Gehäuse: PDIP08smd Datenblatt
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100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,8284 1,3561 1,1854 1,1013 1,0755
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Standard-Verpackung:
300
Klickrate (CTR): 19-50%
Gehäuse: DIP08smd
Ausgang-Typ: Transistor with Base
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 20V

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