6N136-300E
Symbol Micros:
OO6N136-300e
Gehäuse: PDIP08smd
einzelner CTR 19-50 % Vce 20 V Uiso 3,75 kV Transistor mit Sockel 6N136-500E; 6N136300; 6N136-300E;
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Parameter
Klickrate (CTR): | 19-50% |
Gehäuse: | DIP08smd |
Ausgang-Typ: | Transistor with Base |
Isolationsspannung: | 3750V |
Ausgangsspannung: | 20V |
Klickrate (CTR): | 19-50% |
Gehäuse: | DIP08smd |
Ausgang-Typ: | Transistor with Base |
Isolationsspannung: | 3750V |
Ausgangsspannung: | 20V |
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