6N136-560E SMD8

Symbol Micros: OO6N136-560e
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP08smd
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
einzelner CTR 19-50 % Vce 20 V Uiso 3,75 kV Transistor mit Sockel
Parameter
Klickrate (CTR): 19-50%
Gehäuse: DIP08smd
Ausgang-Typ: Transistor with Base
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 20V
Hersteller: BROADCOM Hersteller-Teilenummer: 6N136-560E Gehäuse: PDIP08smd  
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5891
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Klickrate (CTR): 19-50%
Gehäuse: DIP08smd
Ausgang-Typ: Transistor with Base
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 20V

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole