LTV-357T-C

Symbol Micros: OOPC357tltv
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Gehäuse: SO 4 t/r
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Einzel-CTR 50-600 %; Vce 35V; Uiso 3,75 kV; NPN-Fototransistor; Äquivalent: PC357T; LTV-357T-C; LTV357T-C; LTV357T-SMD; LTV-357T; LTV-357T-C-IN; LTV357T-C;
Parameter
Klickrate (CTR): 50-600%
Gehäuse: SO 4 t/r
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 35V
Hersteller: LITE-ON Hersteller-Teilenummer: LTV-357T-C RoHS Gehäuse: SO 4 t/r Datenblatt
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Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2148 0,1187 0,0788 0,0658 0,0613
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Standard-Verpackung:
3000/6000/60000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-05-19
Anzahl Stück: 120000
Klickrate (CTR): 50-600%
Gehäuse: SO 4 t/r
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 35V
Ausführliche Beschreibung

Hersteller: LITEON
Semikonduktortyp: Transoptor
Montage: SMD
Anzahl der Kanäle: 1
Ausgangsart: Transistor
Isolationsspannung: 3,75kV
CTR@If: 50-600%@5mA
Kollektor-Emitter-Spannung: 35V
Betriebstemperatur: -55°C ~ 100°C
Gehäuse: SO 4

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