LTV-357T-C

Symbol Micros: OOPC357tltv
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SO 4 t/r
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Einzel-CTR 50-600 %; Vce 35V; Uiso 3,75 kV; NPN-Fototransistor; Äquivalent: PC357T; LTV-357T-C; LTV357T-C; LTV357T-SMD; LTV-357T; LTV-357T-C-IN; LTV357T-C;
Parameter
Klickrate (CTR): 50-600%
Gehäuse: SO 4 t/r
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 35V
Hersteller: LITE-ON Hersteller-Teilenummer: LTV-357T-C RoHS Gehäuse: SO 4 t/r Datenblatt
Auf Lager:
5143 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2205 0,1219 0,0809 0,0675 0,0630
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Standard-Verpackung:
3000/6000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-03-30
Anzahl Stück: 16000
         
 
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Geplantes Datum:
2025-03-30
Anzahl Stück: 81000
         
 
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Geplantes Datum:
2025-04-30
Anzahl Stück: 150000
Klickrate (CTR): 50-600%
Gehäuse: SO 4 t/r
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 35V
Ausführliche Beschreibung

Hersteller: LITEON
Semikonduktortyp: Transoptor
Montage: SMD
Anzahl der Kanäle: 1
Ausgangsart: Transistor
Isolationsspannung: 3,75kV
CTR@If: 50-600%@5mA
Kollektor-Emitter-Spannung: 35V
Betriebstemperatur: -55°C ~ 100°C
Gehäuse: SO 4

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