FOD817A3S
Symbol Micros:
OOPC817a3s FAI
Gehäuse: PDIP04smd
Einzel-CTR 80-160 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN Phototr. DIN EN/IEC60747-5-5 opt. FOD817A3SD
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Parameter
Klickrate (CTR): | 80-160% |
Gehäuse: | PDIP04smd |
Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
Isolationsspannung: | 5000V |
Ausgangsspannung: | 70V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FOD817A3SD RoHS
Gehäuse: PDIP04smd
Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 15+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5589 | 0,3100 | 0,2442 | 0,2304 | 0,2231 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FOD817A3S
Gehäuse: PDIP04smd
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2231 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FOD817A3S
Gehäuse: PDIP04smd
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2231 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FOD817A3SD
Gehäuse: PDIP04smd
Externes Lager:
41000 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2231 |
Klickrate (CTR): | 80-160% |
Gehäuse: | PDIP04smd |
Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
Isolationsspannung: | 5000V |
Ausgangsspannung: | 70V |
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