FOD817A3S

Symbol Micros: OOPC817a3s FAI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
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Einzel-CTR 80-160 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN Phototr. DIN EN/IEC60747-5-5 opt. FOD817A3SD

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Parameter
Klickrate (CTR): 80-160%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 70V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FOD817A3SD RoHS Gehäuse: PDIP04smd Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5480 0,3039 0,2395 0,2259 0,2187
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FOD817A3S Gehäuse: PDIP04smd  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,2187
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Klickrate (CTR): 80-160%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 70V

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