LTV817S-A smd

Symbol Micros: OOPC817altvs CT
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
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einzelner CTR 160 % Vce 35 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor FOD817AS, FOD817ASD, LTV-817S-TA1-A

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Parameter
Klickrate (CTR): 160%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 0,5kV
Ausgangsspannung: 35V
         
 
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Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 0,5kV
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