PC817X2NSZ9F

Symbol Micros: OOPC817b CT
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04
einzelner CTR 130-260 % Vce 35 V Uiso 5,0 kV NPN Fototransistor PC817B LTV817B, EL817B-F PC817X2NSZW PC817X2NSZW6 PC817X2NSZ1B PC817X2NSZ9F(B) PC817X2NSZ0F (130 % bei 5 mA / 260 % ​​bei 5 mA); PC817X2NSZ9F (50 % bei 5 mA / 600 % bei 5 mA)

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Parameter
Klickrate (CTR): 130-260%
Gehäuse: PDIP04
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 35V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Klickrate (CTR): 130-260%
Gehäuse: PDIP04
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 35V