FOD817BS

Symbol Micros: OOPC817bs FAI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
Einzel CTR 130-260 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor FOD817BSD

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Parameter
Klickrate (CTR): 130-260%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 70V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FOD817BS RoHS Gehäuse: PDIP04smd Datenblatt
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2692 0,1430 0,1110 0,1023 0,0981
Standard-Verpackung:
100
Klickrate (CTR): 130-260%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 70V