FOD817C3S
Symbol Micros:
OOPC817c3s FAI
Gehäuse: PDIP04smd
Einzel-CTR 200-400 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN Phototr. DIN EN/IEC60747-5-5 opt. FOD817C3SD
Parameter
Klickrate (CTR): | 200-400% |
Gehäuse: | PDIP04smd |
Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
Isolationsspannung: | 5000V |
Ausgangsspannung: | 70V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FOD817C3SD RoHS
Gehäuse: PDIP04smd
Datenblatt
Auf Lager:
23 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 10+ | 23+ | 115+ | 483+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3444 | 0,2239 | 0,1820 | 0,1445 | 0,1324 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FOD817C3S RoHS
Gehäuse: PDIP04smd
Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3746 | 0,2066 | 0,1624 | 0,1538 | 0,1443 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FOD817C3SD
Gehäuse: PDIP04smd
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1443 |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: FOD817C3SD
Gehäuse: PDIP04smd
Externes Lager:
142000 stk.
Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1443 |
Klickrate (CTR): | 200-400% |
Gehäuse: | PDIP04smd |
Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
Isolationsspannung: | 5000V |
Ausgangsspannung: | 70V |
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