FOD817C3S

Symbol Micros: OOPC817c3s FAI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
Einzel-CTR 200-400 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN Phototr. DIN EN/IEC60747-5-5 opt. FOD817C3SD

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Parameter
Klickrate (CTR): 200-400%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 70V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FOD817C3SD RoHS Gehäuse: PDIP04smd Datenblatt
Auf Lager:
23 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 23+ 115+ 483+
Nettopreis (EUR) 0,3465 0,2252 0,1831 0,1454 0,1332
Standard-Verpackung:
23
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FOD817C3S RoHS Gehäuse: PDIP04smd Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3769 0,2079 0,1634 0,1547 0,1451
Standard-Verpackung:
100/200
Klickrate (CTR): 200-400%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 70V