LTV817S-C smd   LTV-817S-C LTV-817S-TA1-C LTV-817S-TA1

Symbol Micros: OOPC817cltvs CT
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
einzel; CTR 200-400 %; Vce 35V; Uiso 5,0 kV; NPN-Fototransistor; PS2501L-1(L); SFH6106-4; SFH6106-5T; EL817S1-C(TU); PC817X3NIP; LTV-817S-TA1-C; LTV817S-TA1-C

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Parameter
Klickrate (CTR): 200-400%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 35V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
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Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 35V