FOD817D3S

Symbol Micros: OOPC817d3s FAI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Single-Ch CTR 300-600% Vce 70V Uiso 5,0kV NPN Phototr. DIN EN/IEC60747-5-5 opt. FOD817D3SD
Parameter
Klickrate (CTR): 300-600%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 70V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FOD817D3SD RoHS Gehäuse: PDIP04smd Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5824 0,3241 0,2536 0,2395 0,2325
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Klickrate (CTR): 300-600%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 70V

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole