HTLP185GB-S HXY MOSFET

Symbol Micros: OOTLP185gb-s HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SO 4
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Einzel CTR 100-600 % Vce 80 V Uiso 3,75 kV NPN-Fototransistor Ersatz für: TLP185-GB-TPL-E, TLP185-GB-TPL-E-O, TLP185(GB-TPL,E(O, TLP185(GB-TPL,E(T, TLP185(GB-TPL,E), TLP185(GB-TPL,SE, TLP185(GB-TPL,SE(O, TLP185(GB-TPL,SE(T, TLP185(GB-TPR,E, TLP185(GB-TPR,E(O, TLP185(GB-TPR,E), TLP185(GB-TPR,SE(T, TLP185(GB,E(O, TLP185(GB,E), TLP185(GB,SE
Parameter
Klickrate (CTR): 100-600%
Gehäuse: SO 4
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 80V
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: HTLP185GB-S RoHS Gehäuse: SO 4 t/r Datenblatt
Auf Lager:
740 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2271 0,1137 0,0677 0,0561 0,0505
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Standard-Verpackung:
1000
Klickrate (CTR): 100-600%
Gehäuse: SO 4
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 80V

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