TLP185(GR) TLP185-GR-TPL-E-O  TLP185-GR-TPR.E-O

Symbol Micros: OOTLP185gr
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SO 4
Einzel-CTR 50-400 % Vce 80 V Uiso 3,75 kV NPN-Fototransistor TLP181; TLP185(GR,E); TLP185(GR-TPR,E; TLP185(GR,E(O; TLP185(GR-TPL,E(O;) die vorgeschlagene Version ist: TLP185(GR-TPL,SE ; TLP185-GR-TPL.SE-T;
Parameter
Klickrate (CTR): 50-400%
Gehäuse: SO 4
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 80V
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: TLP185(GR-TPL,SE(T RoHS Gehäuse: SO 4 t/r Datenblatt
Auf Lager:
1630 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4457 0,2453 0,1929 0,1785 0,1712
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: TLP185(GR-TPL,SE(T Gehäuse: SO 4  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1712
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: TLP185(GR-TPR,SE(T Gehäuse: SO 4  
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1712
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Klickrate (CTR): 50-400%
Gehäuse: SO 4
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 80V
Ausführliche Beschreibung

Transoptor TLP185 in Mini-Flat Gehäuse.

Eigenschaften:
- Anzahl der Kanäle: 1;
- Vorwärtiger Diodenstrom: typ. 16mA;
- Kollektorstrom: typ. 1mA;
- Kollektor-Emitter Durchbruchspannung: min. 80V
- Isolationsspannung: min. 3750Vrms;
- Isolationswiderstand: typ. 1014 Ohm;
- CTR-Faktor: min. 100% (Version -GB);
- Betriebstemperatur: -55÷110°C;
- Gehäuse: SMD-4 Mini-Flat.

Die Hauptaufgabe des Transoptors in elektronischen Geräten ist die Signalübertragung zwischen elektrisch getrennten Teilen des Geräts. Der Transoptor TLP185 besteht aus einem Fototransistor, der optisch mit einer Infrarot-LED gekoppelt ist.
TLP185 ist in einem Mini-Flat Gehäuse untergebracht, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist. Es wird für Anwendungen in Geräten mit hoher Bauteildichte empfohlen.