TLP185(GR,SE(T Toshiba

Symbol Micros: OOTLP185gr-se
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SO 4
Einzel-CTR 100-300 % Vce 80 V Uiso 3,75 kV NPN-Fototransistor TLP185(GR,SE(T; TLP185(GR-TPL,SE(T; TLP185(GR-TPR,SE(T; T; TLP185(GR-TPR,E(O;
Parameter
Klickrate (CTR): 100-300%
Gehäuse: SO 6
Ausgang-Typ: Fototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 80V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Klickrate (CTR): 100-300%
Gehäuse: SO 6
Ausgang-Typ: Fototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 80V