Fotowiderstand PGM5616D

Symbol Micros: ORRPGM5616D
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: Rys.PGM5616D
beständig bei Beleuchtung: 10lx=5-10kR; 1lx(min)=1MR max. Spannung Vmax = 150 V; Wellenlänge: 560 nm; Gesamtleistung Pmax = 100 mW;
Parameter
Eigenschaften: 5k-10k Widerstand bei 10lx Blitz
Leistung: 0,1W
Spannung: 150V
Wellenlänge: 560nm
Betriebstemperatur (Bereich): -30°C ~ 70°C
Hersteller: import Hersteller-Teilenummer: PGM5616D RoHS Gehäuse: Rys.PGM5616D  
Auf Lager:
730 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2672 0,1297 0,0891 0,0790 0,0763
Standard-Verpackung:
200/3000
Eigenschaften: 5k-10k Widerstand bei 10lx Blitz
Leistung: 0,1W
Spannung: 150V
Wellenlänge: 560nm
Betriebstemperatur (Bereich): -30°C ~ 70°C