Fotowiderstand PGM5616D

Symbol Micros: ORRPGM5616D
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: Rys.PGM5616D
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beständig bei Beleuchtung: 10lx=5-10kR; 1lx(min)=1MR max. Spannung Vmax = 150 V; Wellenlänge: 560 nm; Gesamtleistung Pmax = 100 mW;

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Parameter
Eigenschaften: 5k-10k Widerstand bei 10lx Blitz
Leistung: 0,1W
Spannung: 150V
Wellenlänge: 560nm
Betriebstemperatur (Bereich): -30°C ~ 70°C
Hersteller: import Hersteller-Teilenummer: PGM5616D RoHS Gehäuse: Rys.PGM5616D  
Auf Lager:
730 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2607 0,1266 0,0869 0,0770 0,0745
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Standard-Verpackung:
200/3000
Eigenschaften: 5k-10k Widerstand bei 10lx Blitz
Leistung: 0,1W
Spannung: 150V
Wellenlänge: 560nm
Betriebstemperatur (Bereich): -30°C ~ 70°C

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