Fotowiderstand PGM5626D

Symbol Micros: ORRPGM5626D
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: Rys.PGM5626D
beständig bei Beleuchtung: 10lx=8-20kR; 1lx(min)=2MR max. Spannung Vmax = 150 V; Wellenlänge: 560 nm; Gesamtleistung Pmax = 100 mW;

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Parameter
Eigenschaften: 8k-20k Widerstand bei 10lx Blitz
Leistung: 0,1W
Spannung: 150V
Wellenlänge: 560nm
Betriebstemperatur (Bereich): -30°C ~ 70°C
Hersteller: import Hersteller-Teilenummer: PGM5626D RoHS Gehäuse: Rys.PGM5626D  
Auf Lager:
140 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 400+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2607 0,1261 0,0862 0,0806 0,0745
Standard-Verpackung:
200/400
Eigenschaften: 8k-20k Widerstand bei 10lx Blitz
Leistung: 0,1W
Spannung: 150V
Wellenlänge: 560nm
Betriebstemperatur (Bereich): -30°C ~ 70°C