Fotowiderstand PGM5639D

Symbol Micros: ORRPGM5639D
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: Rys.PGM5639D
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beständig bei Beleuchtung: 10lx=30-90kR; 1lx(min)=10MR max. Spannung Vmax = 150 V; Wellenlänge: 560 nm; Gesamtleistung Pmax = 100 mW;

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Parameter
Eigenschaften: 30k-90k Widerstand bei 10lx Blitz
Leistung: 0,1W
Spannung: 150V
Wellenlänge: 560nm
Betriebstemperatur (Bereich): -30°C ~ 70°C
Hersteller: import Hersteller-Teilenummer: PGM5639D RoHS Gehäuse: Rys.PGM5639D  
Auf Lager:
900 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2557 0,1237 0,0848 0,0753 0,0728
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Standard-Verpackung:
200/1000
Eigenschaften: 30k-90k Widerstand bei 10lx Blitz
Leistung: 0,1W
Spannung: 150V
Wellenlänge: 560nm
Betriebstemperatur (Bereich): -30°C ~ 70°C

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