Fotowiderstand PGM5639D

Symbol Micros: ORRPGM5639D
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: Rys.PGM5639D
beständig bei Beleuchtung: 10lx=30-90kR; 1lx(min)=10MR max. Spannung Vmax = 150 V; Wellenlänge: 560 nm; Gesamtleistung Pmax = 100 mW;

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Parameter
Eigenschaften: Rezystancja przy oświetleniu: 10lx=30-90k
Leistung: 0,1W
Spannung: 150V
Wellenlänge: 560nm
Betriebstemperatur (Bereich): -30°C ~ 70°C
Hersteller: import Hersteller-Teilenummer: PGM5639D RoHS Gehäuse: Rys.PGM5639D  
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200/1200
         
 
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Geplantes Datum:
2024-08-25
Anzahl Stück: 1000
Eigenschaften: Rezystancja przy oświetleniu: 10lx=30-90k
Leistung: 0,1W
Spannung: 150V
Wellenlänge: 560nm
Betriebstemperatur (Bereich): -30°C ~ 70°C