Fotowiderstand PGM5649D

Symbol Micros: ORRPGM5649D
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: Rys.PGM5649D
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beständig bei Beleuchtung: 10lx=50-160kR; 1lx(min)=20MR max. Spannung Vmax = 150 V; Wellenlänge: 560 nm; Gesamtleistung Pmax = 100 mW;

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Parameter
Eigenschaften: 50k-160k Widerstand bei 10lx Blitz
Leistung: 0,1W
Spannung: 150V
Wellenlänge: 560nm
Betriebstemperatur (Bereich): -30°C ~ 70°C
Hersteller: import Hersteller-Teilenummer: PGM5649D RoHS Gehäuse: Rys.PGM5649D  
Auf Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2855 0,1388 0,0952 0,0845 0,0817
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Standard-Verpackung:
200/3000
Hersteller: import Hersteller-Teilenummer: CDS 5649D RoHS Gehäuse: Rys.PGM5649D  
Auf Lager:
399 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2855 0,1388 0,0952 0,0845 0,0817
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Standard-Verpackung:
200
Eigenschaften: 50k-160k Widerstand bei 10lx Blitz
Leistung: 0,1W
Spannung: 150V
Wellenlänge: 560nm
Betriebstemperatur (Bereich): -30°C ~ 70°C

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