Fotowiderstand PGM5659D

Symbol Micros: ORRPGM5659D
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: Rys.PGM5659D
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beständig bei Beleuchtung: 10lx=150-300kR; 1lx(min)=20MR max. Spannung Vmax = 150 V; Wellenlänge: 560 nm; Gesamtleistung Pmax = 100 mW;

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Parameter
Eigenschaften: 150k-300k Widerstand bei 10lx Blitz
Leistung: 0,1W
Spannung: 150V
Wellenlänge: 560nm
Betriebstemperatur (Bereich): -30°C ~ 70°C
Hersteller: import Hersteller-Teilenummer: PGM5659D RoHS Gehäuse: Rys.PGM5659D  
Auf Lager:
5950 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2631 0,1275 0,0871 0,0773 0,0754
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Standard-Verpackung:
200/2000
Eigenschaften: 150k-300k Widerstand bei 10lx Blitz
Leistung: 0,1W
Spannung: 150V
Wellenlänge: 560nm
Betriebstemperatur (Bereich): -30°C ~ 70°C

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