FM24CL04B-G
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| Versorgungsspannungsbereich: | 2,7~3,65V |
| Gehäuse: | SOP08 |
| RAM-Speicher: | 512B |
| Frequenz: | 1,000MHz |
| Hersteller: | Cypress |
| Architektur: | 8-bit |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7254 | 1,2786 | 1,1194 | 1,0386 | 1,0148 |
| Anzahl Stück | 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0148 |
| Anzahl Stück | 97+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0148 |
| Anzahl Stück | 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0925 |
| Versorgungsspannungsbereich: | 2,7~3,65V |
| Gehäuse: | SOP08 |
| RAM-Speicher: | 512B |
| Frequenz: | 1,000MHz |
| Hersteller: | Cypress |
| Architektur: | 8-bit |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
| SPI schnittstelle: | NEIN |
| TWI (I2C) schnittstelle: | JA |
| A/D Umwandler: | NEIN |
| CAN schnittstelle: | NEIN |
| D/A Umwandler: | NEIN |
| ETHERNET schnittstelle: | NEIN |
| UART/USART schnittstelle: | NEIN |
| USB schnittstelle: | NEIN |
| Verschlüsselung: | NEIN |
Ausgewählte Eigenschaften:
- Speichergröße: 4Kbit;
- Organisation: 8-Bit;
- Serieller Zugriff: 2-Wire/SPI-Schnittstelle;
- Taktfrequenz der Schnittstelle: 1/20MHz;
- Dauer der Datenunveränderlichkeit im Speicher: min. 10 Jahre;
- Kein Warten auf Schreib-/Leseoperationen (NoDelay™ Writes);
- Stromverbrauch:
a) Im aktiven Zustand: max. 200µA;
b) Im Standby-Modus: max. 10µA;
- Kompatibel mit EEPROM-Speichern;
- Betriebsspannung: 2,7÷3,6V
- Betriebstemperatur: -40÷85°C;
- Verfügbar im Gehäuse: SOP08.
Der FRAM-Speicher besteht aus einem ferroelektrischen Material namens PZT (eine Verbindung aus Blei, Zirkonium und Titan), das die Fähigkeit besitzt, eine der beiden Richtungen des elektrischen Feldes zu speichern. Zur Speicherung von Informationen wird der ferroelektrische Effekt genutzt - unter dem Einfluss eines elektrischen Feldes erfolgt eine dauerhafte Änderung der Polarisation der Partikel. Das Fehlen des elektrischen Feldes verursacht keine Änderung der Polarisation. Eine Speichereinheit kann sich wie ein Kondensator vorstellen, bei dem das ferroelektrische Material als Dielektrikum dient und abwechselnd mit einer Spannung mit entgegengesetzter Polarisation geladen wird. Durch Änderung der Polarisation der Ladungen in einem solchen Kondensator können zwei stabile Zustände gespeichert werden, die den logischen Zuständen „0“ und „1“ entsprechen.
FRAM-Speicher werden als nicht-flüchtiger RAM-Speicher bezeichnet. Sie kombinieren die Vorteile von RAM (freier Zugriff) und ROM (Nur-Lese-Speicher). Sie zeichnen sich durch schnelle Lese- und Schreibgeschwindigkeiten aus, ermöglichen unbegrenzt viele Schreib-/Löschzyklen und sind gleichzeitig nicht-flüchtig - das Abschalten der Stromversorgung führt nicht zum Verlust der gespeicherten Informationen; eine Auffrischung der Daten ist nicht notwendig. FRAM-Speicher werden dort eingesetzt, wo hohe Arbeitsgeschwindigkeit, niedriger Stromverbrauch und Datensicherheit erforderlich sind.