AT45DB021E-MHN Adesto

Symbol Micros: PEE45db021e-mhn
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: uDFN08
Data Flash, SPI Interface, 2Mbit (1024 Pages, 264 B/Page), 1.65÷3.6V 40÷85°C Ersatz für: AT45DB021D-MHN, AT45DB021D-MHN*Ausgelaufen
Parameter
Gehäuse: uDFN08
Frequenz: 70MHz
Versorgungsspannungsbereich: 1,65~3,6V
Hersteller: Adesto
FLASH-Speicher: 256kB
Architektur: 8-bit
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 85°C
Hersteller: ADESTO TECHNOLOGIES Hersteller-Teilenummer: AT45DB021E-MHN-Y RoHS Gehäuse: uDFN08 Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,6568 1,2286 1,0750 0,9983 0,9750
Standard-Verpackung:
20
Hersteller: Dialog Semiconductor Hersteller-Teilenummer: AT45DB021E-MHN-Y Gehäuse: uDFN08  
Externes Lager:
920 stk.
Anzahl Stück 570+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9750
Standard-Verpackung:
570
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Gehäuse: uDFN08
Frequenz: 70MHz
Versorgungsspannungsbereich: 1,65~3,6V
Hersteller: Adesto
FLASH-Speicher: 256kB
Architektur: 8-bit
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 85°C
ETHERNET schnittstelle: NEIN
Ausführliche Beschreibung

AT45DB021E - Serielle, SPI-kompatible DataFlash-Speicher mit einer Kapazität von 2 Megabit (+ zusätzliche 64 Kilobits),
versorgt mit nur 1,65 V.

Merkmale:

• Einzelne Betriebsspannung im Bereich von 1,65 V – 3,6 V
• SPI-Kompatibilität
   - Unterstützung der SPI-Modi 0 und 3
   - Kompatibilität mit RapidS™
• Möglichkeit, den gesamten Speicherinhalt im kontinuierlichen Modus zu lesen
   - bis 85 MHz
   - Energiesparmodus mit Lesegeschwindigkeit bis zu 15 MHz
   - maximale Lesedauer (Clock-to-Output, tV) 6 ns
• Benutzerdefinierbare Seitengröße
   - 256 Bytes pro Seite
   - 264 Bytes pro Seite (Standardwert)
   - Möglichkeit, die Seitengröße werkseitig auf 256 Bytes zu setzen
• Ein Datenpuffer SRAM (256/264 Bytes)
• Flexible Programmiermöglichkeiten
   - Direktes Programmieren des Hauptspeichers auf Byte- oder Seitenebene (von 1 bis 256/264 Bytes)
   - Pufferung von Schreibvorgängen
   - Pufferung von Seitenkopiervorgängen in den Hauptspeicher
• Flexible Löschoptionen
   - Seitenlöschung (256/264 Bytes)
   - Blocklöschung (2 kB)
   - Sektor-Löschung (32 kB)
   - Chip-Löschung (2 Mb)
• Fortschrittliche Hardware- und Software-Mechanismen zum Schutz von Daten
   - Schutz einzelner Sektoren
   - Möglichkeit, einzelne Sektoren zu sperren (auf Schreib-/Löschschutzmodus umzustellen)
• Ein 128-Byte-Sicherheitspuffer, der nur einmal programmierbar ist
   - 64 Bytes mit werkseitig eingeprägter, einzigartiger ID
   - 64 Bytes für Nutzdaten
• Hardware- und Software-Reset
• Herstellerdaten und Geräteidentifikator gemäß JEDEC-Standard lesbar
• Geringe Verlustleistung
   - Stromverbrauch im Ultra-Low-Power-Mode: 200 nA (typisch)
   - Stromverbrauch im Deep-Sleep-Modus: 3 µA (typisch)
   - Stromverbrauch im Standby-Modus: 25 µA (typisch bei 20 MHz)
   - Stromverbrauch bei Leseoperationen: 4,5 mA (typisch)
• Haltbarkeit: mindestens 100.000 Programmier-/Löschzyklen pro Seite
• Datenaufbewahrung: 20 Jahre
• Kompatibilität mit industriellen Temperaturbereichen
• Verfügbarkeit umweltfreundlicher Varianten (bleifrei, halogenfrei, RoHS-konform)
   - 8-Pin SOIC-Gehäuse (Breite 0,150ʺ, Länge 0,208")
   - 8-Pin Ultra-thin DFN-Gehäuse (5 x 6 x 0,6 mm)
   - 9-Pin Ultra-thin UBGA-Gehäuse (6 x 6 x 0,6 mm)

Beschreibung

Adesto® AT45DB021E ist ein serieller Flash-Speicher mit sequenziellen Zugriff, der mit einer Spannung von 1,65 V betrieben wird. Er eignet sich ideal für eine breite Palette von Geräten, die die Speicherung von Stimmen, Bildern, Programmcodes oder Daten erfordern. AT45DB021E ist ebenfalls mit der seriellen RapidS-Schnittstelle kompatibel, was für Anwendungen von Bedeutung ist, die eine sehr hohe Geschwindigkeit erfordern. 2.162.688 Bits Speicher sind in 1024 Seiten unterteilt, von denen jede 256 oder 264 Bytes umfasst. Neben dem Hauptspeicher verfügt der AT45DB021E auch über einen 256/264-Byte SRAM-Puffer. Dieser kann als zusätzlicher Puffer für Seitenvorgänge verwendet werden, und ermöglicht durch den dreistufigen Betrieb im Lese-Ändere-Schreib-Modus einfach das Emulieren von EEPROM-Speicher und den Zugriff auf Inhalte auf Bit- oder Byte-Ebene. Im Gegensatz zu traditionellen Flash-Speichern mit Freizugriff, die mit mehreren Adressleitungen und parallelen Schnittstellen ausgestattet sind, verwenden Adesto DataFlash®-Speicher serielle Schnittstellen und sequenziellen Zugriff.

Seine Einfachheit führt zu einer drastischen Reduzierung der erforderlichen Pins, erleichtert das Leiterplatten-Design, verbessert die Systemzuverlässigkeit, reduziert elektromagnetische Störungen (EMI) und ermöglicht es, den Speicher in einem kompakten Gehäuse unterzubringen. Das Gerät wurde für den Einsatz in vielen kommerziellen und industriellen Lösungen optimiert, bei denen eine hohe Packdichte, eine geringe Anzahl an Anschlüssen, eine niedrige Betriebsspannung und ein niedriger Energieverbrauch erforderlich sind.

AT45DB021E benötigt keine Hochspannung zum Programmieren, was eine schnelle Reprogrammierung des Speichers im System ermöglicht. Löschen und Programmieren sowie das Auslesen erfolgen bei einer Betriebsspannung im Bereich von 1,65 V bis 3,6 V. Der Speicher AT45DB021E wird durch den Chip-Select-Pin (CS) aktiviert und über eine dreifache serielle Schnittstelle abgerufen: Serial Input (SI), Serial Output (SO) und Serial Clock (SCK). Die Steuerung der richtigen zeitlichen Abhängigkeiten für alle Programmier- und Löschvorgänge erfolgt automatisch.