AT45DB021E-SSHN SOIC08

AT45DB021E - serielle, SPI-kompatible DataFlash-Speicher mit einer Kapazität von 2 Megabit (+ zusätzliche 64 Kilobit),
betrieben mit einer Spannung ab 1,65 V.

Eigenschaften:

• Einzelne Betriebsspannung im Bereich von 1,65 V – 3,6 V
• SPI-Kompatibilität
   - Unterstützung der SPI-Modi 0 und 3
   - Kompatibilität mit RapidS™
• Möglichkeit zum kontinuierlichen Lesen des gesamten Speicherinhalts
   - bis zu 85 MHz
   - Energiesparmodus mit Lesegeschwindigkeit bis zu 15 MHz
   - maximale Lesedauer (Clock-to-Output, tV) 6 ns
• Benutzerdefinierbare Seitengröße
   - 256 Byte pro Seite
   - 264 Byte pro Seite (Standardwert)
   - Möglichkeit zur werkseitigen Festlegung der Seitengröße auf 256 Byte
• Ein SRAM-Datenpuffer (256/264 Byte)
• Flexibles Programmiermodell
   - Direktes Programmieren des Hauptspeichers auf Byte- oder Seitenebene (von 1 bis 256/264 Byte)
   - Schreibpufferung
   - Pufferung des Seitenkopierens in den Hauptspeicher
• Flexible Löschoptionen
   - Löschen von Seiten (256/264 Byte)
   - Löschen von Blöcken (2 kB)
   - Löschen von Sektoren (32 kB)
   - Löschen des Chips (2 Mb)
• Fortgeschrittene Hardware- und Software-Datenschutzmechanismen
   - Schutz einzelner Sektoren
   - Möglichkeit, einzelne Sektoren zu sperren (in den Nur-Lese-Modus umzuschalten)
• Sicherheitsschutzregister mit einer Kapazität von 128 Byte, das nur einmal programmiert werden kann
   - 64 Byte mit werkseitig eingebauter eindeutiger Kennung
   - 64 Byte für Benutzerdaten
• Hardware- und Software-Reset
• Lesen von Herstellerdaten und Geräteeindeutigkeitsmerkmalen gemäß dem JEDEC-Standard
• Geringe Streuverluste
   - Stromverbrauch im Ultra-Tiefschlafmodus 200 nA (typisch)
   - Stromverbrauch im Tiefschlafmodus 3 µA (typisch)
   - Stromverbrauch im Standby-Modus 25 µA (typisch bei 20 MHz)
   - Stromverbrauch im Lesemodus 4,5 mA (typisch)
• Haltbarkeit: mindestens 100.000 Programmier-/Löschzyklen pro Seite
• Datenaufbewahrung: 20 Jahre
• Kompatibilität mit industriellen Betriebstemperaturen
• Verfügbarkeit von umweltfreundlichen Varianten (bleifrei, halogenfrei, RoHS-konform)
   - 8-Pin SOIC-Gehäuse (Breite 0,150ʺ, Länge 0,208")
   - 8-Pin Ultra-dünnes DFN-Gehäuse (5 x 6 x 0,6 mm)
   - 9-Ball Ultra-dünnes UBGA-Gehäuse (6 x 6 x 0,6 mm)

Beschreibung

Adesto® AT45DB021E ist ein serieller, sequenzieller Flash-Speicher, betrieben mit einer Spannung von 1,65 V. Er stellt eine ideale Wahl für eine breite Palette von Geräten dar, in denen Daten wie Sprache, Bilder, Programmcode oder Daten gespeichert werden müssen. AT45DB021E ist auch mit dem seriellen RapidS-Interface kompatibel, was besonders bei Anwendungen, die hohe Geschwindigkeiten erfordern, von Bedeutung ist. Die 2.162.688 Bits Speicher sind auf 1024 Seiten aufgeteilt, von denen jede 256 oder 264 Bytes umfasst. Neben dem Hauptspeicher enthält AT45DB021E auch einen SRAM-Puffer mit einer Kapazität von 256/264 Bytes. Dieser kann als zusätzlicher Speicher für die Seitennachladung verwendet werden und ermöglicht aufgrund seines Dreiphasenbetriebs im Lesemodifikationsschreibmodus eine einfache Implementierung der EEPROM-Simulation, um auf die Daten auf Byte- oder Bit-Ebene zuzugreifen. Im Gegensatz zu traditionellen Flash-Speichern mit beliebigem Zugriff, die über viele Adressleitungen und einen parallelen Interface verfügen, verwendet Adesto DataFlash® einen seriellen Interface und bietet sequenziellen Zugriff.

Seine Einfachheit führt zu einer drastischen Reduzierung der benötigten Pins, erleichtert das Entwerfen von Leiterplatten, erhöht die Systemzuverlässigkeit, reduziert EMI-Störungen und ermöglicht die Unterbringung des Speichers in einem kompakten Gehäuse. Das Gerät wurde optimiert, um in einer Vielzahl kommerzieller und industrieller Lösungen eingesetzt zu werden, bei denen die hohe Bauteiledichte, geringe Pinanzahl, niedrige Betriebsspannung und niedriger Energieverbrauch entscheidend sind.

AT45DB021E erfordert keine Hochspannungsprogrammierung, was ein schnelles Umprogrammieren des Speichers im Gerät ermöglicht. Das Löschen und Programmieren sowie das Lesen erfolgt bei einer Versorgungsspannung im Bereich von 1,65 V bis 3,6 V. Der Speicher AT45DB021E wird über den Chip-Select (CS)-Pin aktiviert und ist über ein dreipoliges Interface zugänglich: Serial Input (SI), Serial Output (SO) und Serial Clock (SCK). Die Steuerung der korrekten zeitlichen Abläufe während aller Programmier- und Löschoperationen erfolgt automatisch.