AT45DB041E-MHN UDFN8(5x6x0.6mm)
Gehäuse: | uDFN08 |
Frequenz: | 85MHz |
Versorgungsspannungsbereich: | 1,65~3,6V |
Hersteller: | Adesto |
FLASH-Speicher: | 512kB |
Architektur: | 8-bit |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
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Nettopreis (EUR) | 1,5946 | 1,1162 | 0,9497 | 0,8676 | 0,8395 |
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,8395 |
Gehäuse: | uDFN08 |
Frequenz: | 85MHz |
Versorgungsspannungsbereich: | 1,65~3,6V |
Hersteller: | Adesto |
FLASH-Speicher: | 512kB |
Architektur: | 8-bit |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
AT45DB041E – serielle, mit SPI kompatible DataFlash-Speicher mit einer Kapazität von 4 Megabit (+zusätzliche 128 Kilobit),
versorgt mit Spannungen ab 1,65 V.
Merkmale:
• Einzelne Versorgungsspannung im Bereich von 1,65 V – 3,6 V
• SPI-Kompatibilität
– Unterstützung der SPI-Modi 0 und 3
– Kompatibilität mit RapidS™
• Möglichkeit, den gesamten Speicher im kontinuierlichen Lese-Modus zu lesen
– bis zu 85 MHz
– Energiesparender Lesemodus bis 15 MHz
– Maximale Lesezeit (Clock-to-Output, tV) 6 ns
• Benutzerdefinierbare Seitengröße
– 256 Bytes pro Seite
– 264 Bytes pro Seite (Standardwert)
– Möglichkeit zur werkseitigen Voreinstellung der Seitengröße auf 256 Bytes
• Ein SRAM-Datenpuffer (256/264 Bytes)
• Flexible Programmiermöglichkeiten
– Direkte Programmierung des Hauptspeichers auf Byte- oder Seitenebene (von 1 bis 256/264 Bytes)
– Schreibpufferung
– Pufferung des Kopierens von Seiten in den Hauptspeicher
• Flexible Löschoptionen
– Löschen von Seiten (256/264 Bytes)
– Löschen von Blöcken (2 kB)
– Löschen von Sektoren (64 kB)
– Löschen des gesamten Chips (4 Mb)
• Fortschrittliche Hardware- und Software-Datenschutzmechanismen
– Schutz einzelner Sektoren
– Möglichkeit zur Sperrung einzelner Sektoren (um sie in den Nur-Lese-Modus zu versetzen)
• 128-Byte Sicherheitsregister, das nur einmal programmiert werden kann
– 64 Bytes mit werkseitig eingebettetem einzigartigem Identifikator
– 64 Bytes für Benutzerdaten
• Hardware- und Software-Reset
• Hersteller- und Geräteseriennummer gemäß JEDEC-Standard abrufbar
• Geringe Streuenergie
– Stromverbrauch im Ultra-Tiefentleerungsmodus: 400 nA (typisch)
– Stromverbrauch im Tiefentleerungsmodus: 3 μA (typisch)
– Stromverbrauch im Standby-Modus: 25 μA (typisch bei 20 MHz)
– Stromverbrauch im Lesemodus: 11 mA (typisch)
• Haltbarkeit: mindestens 100.000 Programmier-/Löschzyklen pro Seite
• Datenspeicherung: 20 Jahre
• Kompatibilität mit industriellen Betriebstemperaturbereichen
• Verfügbarkeit von umweltfreundlichen (bleifreien, halogenfreien, RoHS-konformen) Varianten
– 8-poliges SOIC-Gehäuse (Breite 0,150", Länge 0,208")
– 8-poliges ultra-dünnes DFN-Gehäuse (5 x 6 x 0,6 mm)
Beschreibung
Adesto® AT45DB041E ist ein serieller Flash-Speicher mit sequentiellem Zugriff, betrieben mit Spannungen ab 1,65 V. Er ist die ideale Wahl für eine breite Palette von Geräten, bei denen die Speicherung von Sprache, Bildern, Programmcodes oder Daten erforderlich ist. AT45DB041E ist auch mit der seriellen Schnittstelle RapidS kompatibel, was bei Anwendungen von Bedeutung ist, die eine sehr hohe Geschwindigkeit erfordern. 4.194.304 Bits Speicher sind auf 2.048 Seiten verteilt, die jeweils aus 256 oder 264 Bytes bestehen. Neben dem Hauptspeicher enthält AT45DB041E auch einen SRAM-Puffer von 256/264 Bytes. Dieser kann als zusätzliche Seitenpufferung verwendet werden, und dank der dreistufigen Verarbeitung im Lese-Modifikations-Schreib-System lässt sich die E2PROM-Speicheremulation einfach umsetzen, mit Zugriff auf Daten auf Byte- oder Bit-Ebene. Im Gegensatz zu herkömmlichen Flash-Speichern mit freien Zugriff und parallelen Schnittstellen verwendet der Adesto DataFlash® einen seriellen Zugriff mit sequentiellem Zugriff.
Die Einfachheit des Systems führt zu einer drastischen Reduzierung der benötigten Pins, erleichtert das Design von Leiterbahnen, erhöht die Systemzuverlässigkeit, verringert EMI-Störungen und ermöglicht es, den Speicher in einem kompakten Gehäuse unterzubringen. Das Gerät wurde optimiert für den Einsatz in einer Vielzahl von kommerziellen und industriellen Lösungen, bei denen eine hohe Bauteildichte, eine geringe Anzahl an Pins, eine niedrige Versorgungsspannung und geringer Energieverbrauch entscheidend sind.
AT45DB041E erfordert keine Hochspannungsprogrammierung, was ein schnelles Umprogrammieren des Speichers im
System ermöglicht. Das Löschen, Programmieren und Lesen erfolgt mit einer Versorgungsspannung im Bereich von 1,65 V bis 3,6 V. Der AT45DB041E wird über den Pin Chip Select (CS) aktiviert und ist über die dreipolige Schnittstelle Serial Input (SI), Serial Output (SO) und Serial Clock (SCK) zugänglich. Die Steuerung der zeitlichen Abhängigkeiten bei allen Programmier- und Löschvorgängen erfolgt automatisch.