AT45DB081E-MHN

Symbol Micros: PEE45db081e-mhn
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: uDFN08
A 8-MBIT DATAFLASH (WITH EXTRA 256-KBITS), 1.65V MINIMUM SPI SERIAL FLASH MEMORY
Parameter
Gehäuse: uDFN08
Frequenz: 85MHz
Versorgungsspannungsbereich: 1.7~3.6V
Hersteller: Adesto
FLASH-Speicher: 1MB
Architektur: 8-bit
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 85°C
Hersteller: ADESTO TECHNOLOGIES Hersteller-Teilenummer: AT45DB081E-MHN-Y RoHS Gehäuse: uDFN08 Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 40+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,6768 1,3372 1,1438 1,0377 0,9858
Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
40
Hersteller: ADESTO TECHNOLOGIES Hersteller-Teilenummer: AT45DB081E-MHN-Y RoHS Gehäuse: uDFN08 Datenblatt
Auf Lager:
60 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,6768 1,2428 1,0872 1,0094 0,9858
Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
20
Hersteller: RENESAS Hersteller-Teilenummer: AT45DB081E-MHN-Y Gehäuse: uDFN08  
Externes Lager:
1710 stk.
Anzahl Stück 570+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9858
Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
570
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Gehäuse: uDFN08
Frequenz: 85MHz
Versorgungsspannungsbereich: 1.7~3.6V
Hersteller: Adesto
FLASH-Speicher: 1MB
Architektur: 8-bit
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 85°C
Ausführliche Beschreibung

AT45DB081E - serielle SPI-kompatible DataFlash-Speicher mit einer Kapazität von 8 Megabit (+ zusätzlich 256 Kilobit), betrieben mit 1,7 V.

Eigenschaften:

• Einzellversorgungsspannung im Bereich von 1,7 V – 3,6 V
• SPI-Kompatibilität
   - Unterstützung der SPI-Modi 0 und 3
   - Kompatibel mit RapidS™
• Kontinuierlicher Lese-Modus für den gesamten Speicherinhalt
   - bis zu 133 MHz
   - energiesparender Lesemodus bis 20 MHz
   - maximale Lesezeit (clock-to-output, tV) 6 ns
• Benutzerspezifische Seitengröße
   - 256 Bytes pro Seite
   - 264 Bytes pro Seite (Standardwert)
   - Möglichkeit, die Seitengröße bei der Fabrikvorkonfiguration auf 256 Bytes festzulegen
• Ein SRAM-Datenpuffer (256/264 Bytes)
• Flexible Programmiermöglichkeiten
   - direkte Programmierung des Hauptspeichers auf Byte- oder Seitenebene (1 bis 256/264 Bytes)
   - Schreibpufferung
   - Seitenkopierpufferung für den Hauptspeicher
• Flexible Löschoptionen
   - Seitenlöschung (256/264 Bytes)
   - Blocklöschung (2 kB)
   - Sektorenspeicherung (64 kB)
   - Chip-Löschung (8 Mb)
• Fortschrittliche Hardware- und Software-Datenschutzmechanismen
   - Sektorenschutz
   - Möglichkeit, Sektoren zu sperren (in den Nur-Lese-Modus zu versetzen)
• 128-Byte-Sicherheitsregister, einmal programmierbar
   - 64 Bytes mit werkseitig platziertem einzigartigem Identifikator
   - 64 Bytes für Benutzerdaten
• Hardware- und Software-Reset
• Hersteller- und Geräte-ID-Lesen nach JEDEC-Standard
• Niedriger Stromverbrauch
   - Stromverbrauch im ultra-tiefen Power-Down-Modus 400 nA (typisch)
   - Stromverbrauch im Tiefen Power-Down-Modus 4,5 µA (typisch)
   - Standby-Stromverbrauch 25 µA (typisch bei 20 MHz)
   - Stromverbrauch im Lese-Modus 8 mA (typisch)
• Lebensdauer: mindestens 100.000 Programmier-/Löschzyklen pro Seite
• Datenaufbewahrung: 20 Jahre
• Kompatibel mit industriellen Betriebstemperaturen
• Verfügbarkeit umweltfreundlicher Varianten (bleifrei, halogenfrei, RoHS-konform)
   - 8-poliges SOIC-Gehäuse (Breite 0,150ʺ, Länge 0,208")
   - 8-Pin ultra-flaches DFN-Gehäuse (5 x 6 x 0,6 mm)

Beschreibung

Adesto® AT45DB081E ist ein serieller Flash-Speicher mit sequentiellem Zugriff, der mit einer Spannung von 1,7 V betrieben wird. Er ist eine ideale Wahl für eine Vielzahl von Geräten, die Sprach-, Bild-, Programmcodierungs- oder Daten-Speicherungsbedarf haben. AT45DB081E ist auch kompatibel mit der RapidS seriellen Schnittstelle, was für Anwendungen wichtig ist, die sehr hohe Betriebsgeschwindigkeiten erfordern. Die 8.650.752 Bits des Speichers sind auf 4.096 Seiten aufgeteilt, wobei jede Seite 256 oder 264 Bytes enthält. Zusätzlich zum Hauptspeicher enthält AT45DB081E auch einen 256/264-Byte-SRAM-Puffer. Dieser kann als zusätzliche Paging-Speicher verwendet werden und ermöglicht es aufgrund der dreistufigen Arbeitsweise von Lesen-Ändern-Schreiben, leicht EEPROM-Emulation zu implementieren, sodass der Zugriff auf den Inhalt auf Bit- oder Byte-Ebene ermöglicht wird. Im Gegensatz zu traditionellen Flash-Speichern mit freiem Zugriff, die mehrere Adressleitungen und parallele Schnittstellen verwenden, nutzt Adesto DataFlash® eine serielle Schnittstelle und sequentiellen Zugriff.

Seine Einfachheit führt zu einer drastischen Reduzierung der benötigten Pins, erleichtert das Routing-Design, erhöht die Systemzuverlässigkeit, reduziert EMI-Störungen und ermöglicht die Platzierung des Speichers in einem kompakten Gehäuse. Das Gerät wurde für den Einsatz in vielen kommerziellen und industriellen Anwendungen optimiert, bei denen hohe Bauelementdichte, niedrige Pin-Anzahl, niedrige Betriebsspannung und niedriger Energieverbrauch entscheidend sind.

AT45DB081E erfordert keine Hochspannungsprogrammierung, was ein schnelles Umprogrammieren des Speichers im System ermöglicht. Das Löschen, Programmieren sowie Lesen erfolgt bei einer Versorgungsspannung im Bereich von 1,7 V bis 3,6 V. Der AT45DB081E wird über den Chip Select (CS)-Pin aktiviert und der Zugriff erfolgt über die dreidrähte Schnittstelle: Serial Input (SI), Serial Output (SO) und Serial Clock (SCK). Die Steuerung der zeitlichen Abhängigkeiten aller Programmier- und Löschvorgänge erfolgt automatisch.