AT45DB081E-MHN

Symbol Micros: PEE45db081e-mhn
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: uDFN08
A 8-MBIT DATAFLASH (WITH EXTRA 256-KBITS), 1.65V MINIMUM SPI SERIAL FLASH MEMORY

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter
Gehäuse: uDFN08
Frequenz: 85MHz
Hersteller: Adesto
Versorgungsspannungsbereich: 1.7~3.6V
FLASH-Speicher: 1MB
Architektur: 8-bit
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 85°C
Hersteller: ADESTO TECHNOLOGIES Hersteller-Teilenummer: AT45DB081E-MHN-Y RoHS Gehäuse: uDFN08 Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 40+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,6356 1,3044 1,1157 1,0122 0,9616
Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
40
Hersteller: ADESTO TECHNOLOGIES Hersteller-Teilenummer: AT45DB081E-MHN-Y RoHS Gehäuse: uDFN08 Datenblatt
Auf Lager:
60 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,6356 1,2124 1,0605 0,9846 0,9616
Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
20
Hersteller: RENESAS Hersteller-Teilenummer: AT45DB081E-MHN-Y Gehäuse: uDFN08  
Externes Lager:
1710 stk.
Anzahl Stück 570+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,9616
Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
570
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Gehäuse: uDFN08
Frequenz: 85MHz
Hersteller: Adesto
Versorgungsspannungsbereich: 1.7~3.6V
FLASH-Speicher: 1MB
Architektur: 8-bit
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 85°C
Ausführliche Beschreibung

AT45DB081E - szeregowa, zgodna z SPI pamięć DataFlash o pojemności 8 megabitów, (+dodatkowe 256 kilobity),
zasilana już od 1,7 V.

Cechy:

• Pojedyncze napięcie zasilania z przedziału 1,7 V – 3,6 V
• Zgodność z interfejsem SPI
   - obsługa trybów SPI 0 i 3
   - zgodność z RapidS™
• Możliwość odczytu całej zawartości pamięci w trybie ciągłym
   - do 133 MHz
   - energooszczędny tryb odczytu do 20 MHz
   - maksymalny czas odczytu (clock-to-output, tV) 6 ns
• Rozmiar strony ustawiany przez użytkownika
   - 256 bajtów na stronę
   - 264 bajty na stronę (wartość domyślna)
   - możliwość wstępnego fabrycznego ustawienia rozmiaru strony na 256 bajtów
• Jeden bufor danych SRAM (256/264 bajty)
• Elastyczne możliwości programowania
   - bezpośrednie programowanie pamięci głównej na poziomie bajtów lub stron (od 1 do 256/264 bajtów)
   - buforowanie zapisu
   - buforowanie kopiowania stron do pamięci głównej
• Elastyczne opcje wymazywania
   - wymazywanie stron (256/264 bajtów)
   - wymazywanie bloków (2 kB)
   - wymazywanie sektorów (64 kB)
   - wymazywanie układu (8 Mb)
• Zaawansowane sprzętowe i programowe mechanizmy ochrony danych
   - ochrona poszczególnych sektorów
   - możliwość blokowania poszczególnych sektorów (przełączania ich w tryb tylko do odczytu)
• Rejestr bezpieczeństwa o pojemności 128 bajtów, który można zaprogramować tylko raz
   - 64 bajty z umieszczonym fabrycznie unikatowym identyfikatorem
   - 64 bajty na dane użytkownika
• Reset sprzętowy i programowy
• Odczyt danych o producencie i identyfikatora urządzenia zgodnie ze standardem JEDEC
• Mała rozpraszana moc
   - pobór prądu w trybie ultra głębokiego wyłączenia 400 nA (typowo)
   - pobór prądu w trybie głębokiego wyłączenia 4,5 μA (typowo)
   - pobór prądu w trybie czuwania 25 μA (typowo przy 20 MHz)
   - pobór prądu w trakcie odczytu 8 mA (typowo)
• Trwałość: co najmniej 100 000 cykli programowania/wymazywania na stronę
• Przechowywanie danych: 20 lat
• Zgodność z przemysłowym zakresem temperatur pracy
• Dostępność wariantów ekologicznych (bezołowiowych, bezhalogenkowych, zgodnych z RoHS)
   - 8-nóżkowa obudowa SOIC (szerokość 0,150ʺ, długość 0,208")
   - 8-padowa ultra cienka obudowa DFN (5 x 6 x 0,6 mm)

Opis

Adesto® AT45DB081E to szeregowa pamięć Flash o dostępie sekwencyjnym, zasilana napięciem od 1,7 V. Jest ona idealnym wyborem do szerokiej gamy urządzeń, w których zachodzi potrzeba przechowywania głosu, zdjęć, kodu programu czy danych. AT45DB081E jest też zgodna z interfejsem szeregowym RapidS, co ma znaczenie w przypadku zastosowań wymagających bardzo dużej szybkości działania. 8,650,752 bitów pamięci podzielono na 4,096 strony, z których każda składa się z 256 lub 264 bajtów. Poza pamięcią główną, AT45DB081E zawiera także jeden bufor SRAM o pojemności 256/264 bajtów. Może on służyć jako dodatkowa pamięć stronicowania, a dzięki pracy trzyetapowej, w systemie odczyt-modyfikacja-zapis, pozwala łatwo zaimplementować emulację pamięci E2PROM, dając dostęp do zawartości na poziomie pojedynczych bitów lub bajtów. W przeciwieństwie do tradycyjnych pamięci Flash o dostępie swobodnym, wyposażonych w wiele linii adresowych i interfejs
równoległy, w pamięciach Adesto DataFlash® stosuje się interfejs szeregowy i dostęp sekwencyjny.

Jego prostota przekłada się na drastyczne zmniejszenie liczby potrzebnych pinów, ułatwia projektowanie ścieżek, zwiększa niezawodność systemu, ogranicza zakłócenia EMI i pozwala na umieszczenie pamięci w niewielkiej obudowie. Urządzenie zostało zoptymalizowane pod kątem wykorzystania w wielu rozwiązaniach komercyjnych i przemysłowych, w których najbardziej liczy się duża gęstość upakowania elementów, niewielka liczba wyprowadzeń, niskie napięcie zasilania i małe zużycie energii.

AT45DB081E nie wymaga programowania wysokonapięciowego, co pozwala na szybkie przeprogramowywanie pamięci w
układzie. Wymazywanie i programowanie, oraz odczyt odbywają się przy napięciu zasilającym z przedziału od 1,7 V do 3,6 V. Pamięć AT45DB081E uaktywnia się poprzez pin Chip Select (CS) i uzyskuje do niej dostęp przy użyciu interfejsu trzyżyłowego: Serial Input (SI), Serial Output (SO) oraz Serial Clock (SCK). Sterowanie właściwymi zależnościami czasowymi przy wszystkich operacjach programowania i wymazywania odbywa się automatycznie.