AT45DB081E-SSHN SO8(0.15")
Gehäuse: | SOP08 |
Frequenz: | 85MHz |
Versorgungsspannungsbereich: | 1.7~3.6V |
Hersteller: | Adesto |
FLASH-Speicher: | 1MB |
Architektur: | 8-bit |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 40+ | 130+ |
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Nettopreis (EUR) | 2,1083 | 1,7640 | 1,5636 | 1,4527 | 1,4056 |
Anzahl Stück | 196+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 1,4056 |
Gehäuse: | SOP08 |
Frequenz: | 85MHz |
Versorgungsspannungsbereich: | 1.7~3.6V |
Hersteller: | Adesto |
FLASH-Speicher: | 1MB |
Architektur: | 8-bit |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
AT45DB081E - serielle, SPI-kompatible DataFlash-Speicher mit einer Kapazität von 8 Megabit (+ 256 Kilobit Zusatzspeicher),
betrieben mit nur 1,7 V.
Merkmale:
• Einzelspannungsversorgung im Bereich von 1,7 V bis 3,6 V
• SPI-Kompatibilität
- Unterstützung der SPI-Modi 0 und 3
- Kompatibilität mit RapidS™
• Möglichkeit, den gesamten Speicher im kontinuierlichen Modus auszulesen
- Bis 133 MHz
- Energiesparender Lesemodus bis 20 MHz
- Maximale Lesezeit (clock-to-output, tV): 6 ns
• Einstellbare Seitengröße
- 256 Byte pro Seite
- 264 Byte pro Seite (Standardwert)
- Möglichkeit zur werkseitigen Einstellung der Seitengröße auf 256 Byte
• 1 SRAM-Datenpuffer (256/264 Byte)
• Flexibilität beim Programmieren
- Direkte Programmierung des Hauptspeichers auf Byte- oder Seitenebene (von 1 bis 256/264 Byte)
- Pufferung beim Schreiben
- Pufferung beim Kopieren von Seiten in den Hauptspeicher
• Flexible Löschoptionen
- Löschen von Seiten (256/264 Byte)
- Löschen von Blöcken (2 kB)
- Löschen von Sektoren (64 kB)
- Löschen des gesamten Chips (8 Mb)
• Erweiterte Hardware- und Software-Datenschutzmechanismen
- Schutz einzelner Sektoren
- Möglichkeit, Sektoren in den Nur-Lese-Modus zu versetzen
• Sicherheitsregister mit 128 Byte, das nur einmal programmierbar ist
- 64 Byte mit werkseitigem, einzigartigem Identifikator
- 64 Byte für Benutzerdaten
• Hardware- und Software-Reset
• Auslesen der Herstellerdaten und Gerätenummer gemäß JEDEC-Standard
• Geringe Verlustleistung
- Stromverbrauch im Ultra-Deepsleep-Modus: 400 nA (typisch)
- Stromverbrauch im Deep-Sleep-Modus: 4,5 µA (typisch)
- Stromverbrauch im Standby-Modus: 25 µA (typisch bei 20 MHz)
- Stromverbrauch beim Auslesen: 8 mA (typisch)
• Lebensdauer: Mindestens 100.000 Programmier-/Löschzyklen pro Seite
• Datenhaltung: 20 Jahre
• Betriebstemperaturbereich für industrielle Anwendungen
• Umweltfreundliche Varianten (bleifrei, halogenfrei, RoHS-konform)
- 8-poliges SOIC-Gehäuse (Breite: 0,150", Länge: 0,208")
- 8-poliges ultra-dünnes DFN-Gehäuse (5 x 6 x 0,6 mm)
Beschreibung:
Der Adesto® AT45DB081E ist ein serieller Flash-Speicher mit sequenziellen Zugriff, betrieben mit einer Spannung von 1,7 V. Dieser Speicher eignet sich hervorragend für eine Vielzahl von Geräten, bei denen die Speicherung von Sprache, Bildern, Programmcodes oder Daten erforderlich ist. AT45DB081E ist außerdem mit der RapidS™-Schnittstelle kompatibel, was ihn ideal für Anwendungen macht, die eine hohe Geschwindigkeit erfordern. Der Speicher mit einer Kapazität von 8.650.752 Bits ist auf 4.096 Seiten verteilt, von denen jede 256 oder 264 Byte umfasst. Zusätzlich zum Hauptspeicher enthält der AT45DB081E auch einen SRAM-Datenpuffer mit einer Kapazität von 256/264 Byte. Dieser kann als zusätzlicher Seitenpuffer verwendet werden und ermöglicht mit einem Dreiphasenbetrieb (Lesen-Ändern-Schreiben) eine einfache Implementierung einer EEPROM-Emulation, um den Zugang auf einzelne Bits oder Bytes zu ermöglichen. Im Gegensatz zu herkömmlichen Flash-Speichern mit freiem Zugang, die viele Adressleitungen und ein paralleles Interface verwenden, nutzt der Adesto DataFlash® ein serielles Interface mit sequenziellen Zugriff.
Seine Einfachheit führt zu einer erheblichen Reduzierung der benötigten Pins, erleichtert das Design der Leiterbahnen, erhöht die Zuverlässigkeit des Systems, reduziert elektromagnetische Störungen (EMI) und ermöglicht es, den Speicher in einem kompakten Gehäuse unterzubringen. Das Gerät wurde für den Einsatz in zahlreichen kommerziellen und industriellen Lösungen optimiert, bei denen hohe Bauteiledichte, geringe Pinzahl, niedrige Betriebsspannung und geringer Energieverbrauch von größter Bedeutung sind.
AT45DB081E erfordert keine Hochspannungsprogrammierung, was ein schnelles Neuprogrammieren des Speichers im Gerät ermöglicht. Löschung, Programmierung und Lesezugriff erfolgen im Spannungsbereich von 1,7 V bis 3,6 V. Der Speicher AT45DB081E wird durch den Chip-Select-Pin (CS) aktiviert und der Zugriff erfolgt über ein dreipiniges Interface: Serial Input (SI), Serial Output (SO) und Serial Clock (SCK). Die Steuerung der zeitlichen Abläufe bei allen Programmiervorgängen und Löschoperationen erfolgt automatisch.