FM24C16B-G
Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
| Versorgungsspannungsbereich: | 4.5~5.5V |
| Gehäuse: | SOP08 |
| RAM-Speicher: | 2kB |
| Frequenz: | 1,000MHz |
| Hersteller: | Ramtron |
| Architektur: | 8-bit |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,6526 | 1,1547 | 0,9792 | 0,8962 | 0,8702 |
| Anzahl Stück | 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9430 |
| Anzahl Stück | 97+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0467 |
| Anzahl Stück | 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4950 |
| Versorgungsspannungsbereich: | 4.5~5.5V |
| Gehäuse: | SOP08 |
| RAM-Speicher: | 2kB |
| Frequenz: | 1,000MHz |
| Hersteller: | Ramtron |
| Architektur: | 8-bit |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
| SPI schnittstelle: | NEIN |
| TWI (I2C) schnittstelle: | JA |
| A/D Umwandler: | NEIN |
| CAN schnittstelle: | NEIN |
| D/A Umwandler: | NEIN |
| ETHERNET schnittstelle: | NEIN |
| UART/USART schnittstelle: | NEIN |
| USB schnittstelle: | NEIN |
| Verschlüsselung: | NEIN |
Ausgewählte Eigenschaften:
- Kapazität: 16 Kbit;
- Organisation: 8-Bit;
- Serielle Schnittstelle: 2-Wire/SPI;
- Taktfrequenz der Schnittstelle: 1/20 MHz;
- Dauerhafte Stabilität der in der Speicher abgelegten Daten: min. 10 Jahre;
- Keine Wartezeit für Lese-/Schreiboperationen (NoDelay™ Writes);
- Stromverbrauch:
a) im aktiven Zustand: max. 200 µA;
b) im Standby-Modus: max. 10 µA;
- Kompatibel mit EEPROM-Speichern;
- Betriebsspannung: 4,5÷5,5 V
- Betriebstemperatur: -40÷85°C;
- Verfügbar im Gehäuse: SOP08.
FRAM-Speicher besteht aus einem ferroelektrischen Material namens PZT (eine Verbindung von Blei, Zirkonium und Titan), das die Fähigkeit besitzt, eine von zwei Richtungen des elektrischen Feldes zu speichern. Um Informationen zu speichern, wird der ferroelektrische Effekt genutzt – unter Einwirkung eines elektrischen Feldes erfolgt eine dauerhafte Veränderung der Polarisation der Moleküle. Das Fehlen eines elektrischen Feldes führt nicht zu einer Veränderung der Polarisation. Eine Speichereinheit kann als Kondensator mit einem ferroelektrischen Material als Dielektrikum angesehen werden, der abwechselnd mit einer Spannung der entgegengesetzten Polarität aufgeladen wird. Durch die Änderung der Polarisation der Ladungen in diesem Kondensator können zwei stabile Zustände gespeichert werden, die den logischen Zuständen „0“ und „1“ entsprechen.
FRAM-Speicher werden als nichtflüchtige RAM-Speicher bezeichnet. Sie vereinen die Vorteile von RAM-Speichern mit freiem Zugriff und nur-lesbaren ROM-Speichern. Sie zeichnen sich durch schnelle Lese- und Schreiboperationen, eine unbegrenzte Anzahl von Lese-/Schreibzyklen und gleichzeitig durch ihre Nichtflüchtigkeit aus – das Abschalten der Versorgungsspannung führt nicht zum Verlust gespeicherter Informationen; eine Aktualisierung der Informationen ist nicht erforderlich. FRAM-Speicher werden dort eingesetzt, wo hohe Arbeitsgeschwindigkeiten, niedriger Stromverbrauch und Datensicherheit erforderlich sind.