FM24C256-G
Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Versorgungsspannungsbereich: | 2.7~5.5V |
Gehäuse: | SOP08 |
RAM-Speicher: | 32kB |
Frequenz: | 1,000MHz |
Hersteller: | Cypress |
Architektur: | 8-bit |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
Versorgungsspannungsbereich: | 2.7~5.5V |
Gehäuse: | SOP08 |
RAM-Speicher: | 32kB |
Frequenz: | 1,000MHz |
Hersteller: | Cypress |
Architektur: | 8-bit |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
SPI schnittstelle: | NEIN |
TWI (I2C) schnittstelle: | JA |
A/D Umwandler: | NEIN |
CAN schnittstelle: | NEIN |
D/A Umwandler: | NEIN |
ETHERNET schnittstelle: | NEIN |
UART/USART schnittstelle: | NEIN |
USB schnittstelle: | NEIN |
Verschlüsselung: | NEIN |
Wybrane właciwoci:
- pojemnoć: 256Kbit;
- organizacja: 8-bitowa;
- dostęp szeregowy: interfejs 2-Wire/SPI;
- częstotliwoć zegara interfejsu: 1/20MHz;
- okres niezmiennoci danych umieszczonych w pamięci: min. 10 lat;
- brak oczekiwania na operację typu zapis/odczyt (NoDelay™ Writes);
- pobór pršdu:
a) w stanie aktywnym: max. 200µA;
b) w trybie standby: max. 10µA;
- kompatybilnoć z pamięciami EEPROM;
- napięcie zasilania: 2.7÷5.5V
- temperatura pracy: -40÷85°C;
- dostępne w obudowie: SOP08.
Pamięć FRAM zbudowana jest z materiału ferroelektrycznego o nazwie PZT (zwišzek ołowiu, cyrkonu i tytanu), którego cechuje możliwoć zapamiętania jednego z dwóch kierunków pola elektrycznego. Do zapamiętania informacji wykorzystuje się efekt ferroelektryczny - pod wpływem działania pola elektrycznego następuje trwała zmiana polaryzacji czšstek. Nieobecnoć pola elektrycznego nie powoduje zmiany polaryzacji. Komórkę pamięci można sobie wyobrazić jako kondensator z materiałem ferroelektrycznym jako dielektrykiem, ładowany na przemian napięciem o przeciwnej polaryzacji. Poprzez zmianę polaryzacji ładunków w takim kondensatorze można zapamiętać dwa stabilne stany odpowiadajšce stanom logicznym „0” i „1”.
Pamięci FRAM nazywane sš nieulotnymi pamięciami RAM. Łšczš w sobie zalety pamięci o dostępie swobodnym RAM oraz pamięci tylko czytanych ROM. Charakteryzujš się możliwociš szybkiego odczytu i zapisu, nieograniczonš ilociš cykli zapis/kasowanie a jednoczenie nieulotnociš danych - wyłšczenie napięć zasilajšcych nie powoduje utraty zapamiętanej informacji; odwieżanie informacji nie jest konieczne. Pamięci FRAM stosowane sš tam, gdzie wymagana jest duża szybkoć pracy, niski pobór pršdu oraz bezpieczeństwo danych.