FM25040B-G
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| Versorgungsspannungsbereich: | 4.5~5.5V |
| Gehäuse: | SOP08 |
| RAM-Speicher: | 512B |
| Frequenz: | 20,000MHz |
| Hersteller: | Ramtron |
| Architektur: | 8-bit |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7285 | 1,3799 | 1,1808 | 1,0598 | 1,0172 |
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0172 |
| Anzahl Stück | 97+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0172 |
| Anzahl Stück | 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0172 |
| Versorgungsspannungsbereich: | 4.5~5.5V |
| Gehäuse: | SOP08 |
| RAM-Speicher: | 512B |
| Frequenz: | 20,000MHz |
| Hersteller: | Ramtron |
| Architektur: | 8-bit |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
| SPI schnittstelle: | JA |
| TWI (I2C) schnittstelle: | NEIN |
| A/D Umwandler: | NEIN |
| CAN schnittstelle: | NEIN |
| D/A Umwandler: | NEIN |
| ETHERNET schnittstelle: | NEIN |
| UART/USART schnittstelle: | NEIN |
| USB schnittstelle: | NEIN |
| Verschlüsselung: | NEIN |
Ausgewählte Eigenschaften:
- Kapazität: 4 Kbit;
- Organisation: 8-Bit;
- Serielle Schnittstelle: 2-Wire/SPI;
- Taktfrequenz der Schnittstelle: 1/20 MHz;
- Dauerhafte Stabilität der in der Speicher abgelegten Daten: min. 10 Jahre;
- Keine Wartezeit für Lese-/Schreiboperationen (NoDelay™ Writes);
- Stromverbrauch:
a) im aktiven Zustand: max. 200 µA;
b) im Standby-Modus: max. 10 µA;
- Kompatibel mit EEPROM-Speichern;
- Betriebsspannung: 4,5÷5,5 V;
- Betriebstemperatur: -40÷85°C;
- Verfügbar im Gehäuse: SOP08.
Der FRAM-Speicher besteht aus einem ferroelektrischen Material namens PZT (eine Verbindung von Blei, Zirkonium und Titan), das die Fähigkeit besitzt, eine der beiden Richtungen des elektrischen Feldes zu speichern. Zum Speichern von Informationen wird der ferroelektrische Effekt genutzt – unter Einwirkung eines elektrischen Feldes erfolgt eine dauerhafte Änderung der Polarisation der Moleküle. Das Fehlen eines elektrischen Feldes führt nicht zu einer Änderung der Polarisation. Man kann sich die Speicherzelle als einen Kondensator vorstellen, bei dem das ferroelektrische Material als Dielektrikum wirkt, und der abwechselnd mit einer Spannung der entgegengesetzten Polarität aufgeladen wird. Durch die Änderung der Polarisation der Ladungen in diesem Kondensator können zwei stabile Zustände gespeichert werden, die den logischen Zuständen „0“ und „1“ entsprechen.
FRAM-Speicher werden als nichtflüchtige RAM-Speicher bezeichnet. Sie vereinen die Vorteile von RAM-Speichern mit freiem Zugriff und nur-lesbaren ROM-Speichern. Sie zeichnen sich durch schnelle Lese- und Schreiboperationen, unbegrenzte Anzahl von Lese-/Schreibzyklen und gleichzeitig durch ihre Nichtflüchtigkeit aus – das Abschalten der Versorgungsspannung führt nicht zum Verlust gespeicherter Informationen; eine Aktualisierung der Informationen ist nicht erforderlich. FRAM-Speicher werden dort eingesetzt, wo hohe Arbeitsgeschwindigkeiten, niedriger Stromverbrauch und Datensicherheit erforderlich sind.