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Versorgungsspannungsbereich:
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4.5~5.5V |
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Gehäuse:
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SOP08 |
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RAM-Speicher:
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2kB |
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Frequenz:
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20,000MHz |
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Hersteller:
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Ramtron |
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Architektur:
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8-bit |
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Betriebstemperatur (Bereich):
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-40°C ~ 85°C |
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SPI schnittstelle:
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JA |
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TWI (I2C) schnittstelle:
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NEIN |
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A/D Umwandler:
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NEIN |
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CAN schnittstelle:
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NEIN |
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D/A Umwandler:
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NEIN |
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ETHERNET schnittstelle:
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NEIN |
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UART/USART schnittstelle:
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NEIN |
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USB schnittstelle:
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NEIN |
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Verschlüsselung:
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NEIN |
Ausführliche Beschreibung
Ausgewählte Eigenschaften:
- Kapazität: 16 Kbit;
- Organisation: 8-Bit;
- Serieller Zugriff: 2-Wire/SPI-Schnittstelle;
- Taktfrequenz der Schnittstelle: 1/20 MHz;
- Datenhaltezeit im Speicher: mind. 10 Jahre;
- Keine Wartezeit bei Lese-/Schreiboperationen (NoDelay™ Writes);
- Stromverbrauch:
a) im aktiven Zustand: max. 200 µA;
b) im Standby-Modus: max. 10 µA;
- Kompatibilität mit EEPROM-Speichern;
- Betriebsspannung: 4,5÷5,5 V;
- Betriebstemperatur: -40÷85°C;
- Verfügbar im Gehäuse: SOP08.
Der FRAM-Speicher besteht aus einem ferroelektrischen Material namens PZT (eine Verbindung aus Blei, Zirkonium und Titan), das die Fähigkeit besitzt, eine der beiden Richtungen des elektrischen Feldes zu speichern. Zum Speichern von Informationen wird der ferroelektrische Effekt verwendet – unter Einwirkung eines elektrischen Feldes tritt eine dauerhafte Änderung der Polarisation der Partikel auf. Das Fehlen eines elektrischen Feldes verursacht keine Änderung der Polarisation. Man kann sich die Speicherzelle als Kondensator vorstellen, bei dem das ferroelektrische Material als Dielektrikum dient, abwechselnd mit Spannung der entgegengesetzten Polarität aufgeladen wird. Durch die Änderung der Polarisation der Ladungen in einem solchen Kondensator können zwei stabile Zustände gespeichert werden, die den logischen Zuständen „0” und „1” entsprechen.
FRAM-Speicher werden als nichtflüchtige RAM-Speicher bezeichnet. Sie kombinieren die Vorteile von Random-Access-Memory (RAM) mit denen von nur-lesbaren Speichern (ROM). Sie zeichnen sich durch schnellen Lese- und Schreibzugriff, praktisch unbegrenzte Schreib-/Löschzyklen sowie durch Datenpersistenz aus – das Ausschalten der Stromversorgung führt nicht zum Verlust gespeicherter Daten. Es ist keine Auffrischung der Daten erforderlich. FRAM-Speicher werden in Anwendungen eingesetzt, bei denen eine hohe Arbeitsgeschwindigkeit, niedriger Stromverbrauch und Datensicherheit erforderlich sind.
