FM25W256-GTR
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| Versorgungsspannungsbereich: | 2.7~5.5V |
| Gehäuse: | SOP08 |
| RAM-Speicher: | 32kB |
| Frequenz: | 20,000MHz |
| Hersteller: | Ramtron |
| Architektur: | 8-bit |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 5,2162 | 4,6377 | 4,2892 | 4,1161 | 4,0118 |
| Versorgungsspannungsbereich: | 2.7~5.5V |
| Gehäuse: | SOP08 |
| RAM-Speicher: | 32kB |
| Frequenz: | 20,000MHz |
| Hersteller: | Ramtron |
| Architektur: | 8-bit |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
| SPI schnittstelle: | JA |
| TWI (I2C) schnittstelle: | NEIN |
| A/D Umwandler: | NEIN |
| CAN schnittstelle: | NEIN |
| D/A Umwandler: | NEIN |
| ETHERNET schnittstelle: | NEIN |
| UART/USART schnittstelle: | NEIN |
| USB schnittstelle: | NEIN |
| Verschlüsselung: | NEIN |
Ausgewählte Eigenschaften:
- Kapazität: 256 Kbit;
- Organisation: 8-Bit;
- Serielle Schnittstelle: 2-Wire/SPI;
- Taktfrequenz der Schnittstelle: 1/20 MHz;
- Datenerhaltungszeitraum: min. 10 Jahre;
- Keine Wartezeit für Schreib-/Leseoperationen (NoDelay™ Writes);
- Stromverbrauch:
a) im aktiven Zustand: max. 200 µA;
b) im Standby-Modus: max. 10 µA;
- Kompatibilität mit EEPROM-Speichern;
- Versorgungsspannung: 2,7~5,5 V;
- Betriebstemperatur: -40 ÷ 85 °C;
- Verfügbar im Gehäuse: SOP08.
Der FRAM-Speicher besteht aus einem ferroelektrischen Material namens PZT (eine Verbindung aus Blei, Zirkonium und Titan), das durch die Fähigkeit gekennzeichnet ist, eine von zwei elektrischen Feldrichtungen zu speichern. Zur Speicherung von Informationen wird der ferroelektrische Effekt genutzt – unter dem Einfluss eines elektrischen Feldes tritt eine dauerhafte Änderung der Polarisierung der Teilchen ein. Das Fehlen eines elektrischen Feldes führt nicht zu einer Änderung der Polarisierung. Eine Speicherzelle kann als Kondensator mit ferroelektrischem Material als Dielektrikum dargestellt werden, der abwechselnd mit entgegengesetzten Polaritätsspannungen geladen wird. Durch Änderung der Ladungspolarisation in einem solchen Kondensator können zwei stabile Zustände gespeichert werden, die den logischen Zuständen "0" und "1" entsprechen.
FRAM wird als nichtflüchtiger RAM bezeichnet. Er kombiniert die Vorteile von RAM (Random-Access Memory) mit denen von ROM (Read-Only Memory). FRAM zeichnet sich durch schnelle Lese- und Schreibfähigkeiten, nahezu unbegrenzte Schreib-/Löschzyklen und Datennichtflüchtigkeit aus – ein Spannungsverlust führt nicht zum Verlust gespeicherter Informationen, und eine Datenaktualisierung ist nicht erforderlich. FRAM wird in Anwendungen eingesetzt, die eine hohe Arbeitsgeschwindigkeit, einen niedrigen Stromverbrauch und hohe Datensicherheit erfordern.