K6R4016V1D-KI10
| Gehäuse: | SOJ44 |
| Versorgungsspannungsbereich: | 3.0~3.6V |
| RAM-Speicher: | 256kB |
| Hersteller: | SAMSUNG |
| Architektur: | 16-bit |
| A/D Umwandler: | NEIN |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
| Gehäuse: | SOJ44 |
| Versorgungsspannungsbereich: | 3.0~3.6V |
| RAM-Speicher: | 256kB |
| Hersteller: | SAMSUNG |
| Architektur: | 16-bit |
| A/D Umwandler: | NEIN |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
| ETHERNET schnittstelle: | NEIN |
| SPI schnittstelle: | NEIN |
| TWI (I2C) schnittstelle: | NEIN |
| UART/USART schnittstelle: | NEIN |
| CAN schnittstelle: | NEIN |
| D/A Umwandler: | NEIN |
| USB schnittstelle: | NEIN |
| Verschlüsselung: | NEIN |
K6R4016V1D-KI10 - SRAM-Speicher, der in CMOS-Technologie hergestellt wird. Die Information wird asynchron in Form von 16-Bit-Worten in den Speicher eingetragen und daraus ausgelesen. Der Betriebsmodus des Speichers wird über die Signale gesteuert: Chip Select (~CS, Aktivierung des Speichers), Write Enable (~WE, Aktivierung des Schreibens), Output Enable (~OE, Aktivierung des Lesens).
Ausgewählte Eigenschaften:
- Kapazität: 4Mbit;
- Organisation: 16-Bit;
- Zugriffszeit: 10ns;
- Ein- / Ausgänge kompatibel mit TTL;
- Drei-State-Ausgänge – Möglichkeit zur Verbindung mehrerer Speichermodule;
- Stromverbrauch:
aktiver Betrieb: max. 75mA;
Standby-Modus: max. 20mA (TTL), max. 5mA (CMOS);
- Betriebsspannung: 3.3V;
- Betriebstemperatur: -40÷85°C;
Dieser Speicher wird dort eingesetzt, wo eine hohe Datendichte und schnelle Datenverarbeitung erforderlich sind.