K6R4016V1D-KI10
Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
| Gehäuse: | SOJ44 |
| Versorgungsspannungsbereich: | 3.0~3.6V |
| RAM-Speicher: | 256kB |
| Hersteller: | SAMSUNG |
| Architektur: | 16-bit |
| A/D Umwandler: | NEIN |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
| Gehäuse: | SOJ44 |
| Versorgungsspannungsbereich: | 3.0~3.6V |
| RAM-Speicher: | 256kB |
| Hersteller: | SAMSUNG |
| Architektur: | 16-bit |
| A/D Umwandler: | NEIN |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
| ETHERNET schnittstelle: | NEIN |
| SPI schnittstelle: | NEIN |
| TWI (I2C) schnittstelle: | NEIN |
| UART/USART schnittstelle: | NEIN |
| CAN schnittstelle: | NEIN |
| D/A Umwandler: | NEIN |
| USB schnittstelle: | NEIN |
| Verschlüsselung: | NEIN |
K6R4016V1D-KI10 - pamięć SRAM wykonana w technologii CMOS. Informacja jest wprowadzana do pamięci i wydawana z niej w sposób asynchroniczny w postaci słów 16-bitowych. Wybór trybu pracy pamięci odbywa się za pomocą sygnałów: Chip Select (~CS, uaktywnienie pamięci), Write Enable (~WE, uaktywnienie zapisu), Output Enable (~OE, uaktywnienie odczytu).
Wybrane właściwości:
- pojemność: 4Mbit;
- organizacja: 16-bit;
- czas dostępu: 10ns;
- wyjścia / wejścia kompatybilne z TTL;
- trójstanowe wyjścia – możliwość łączenia ze sobą wielu kostek pamięci;
- pobór prądu:
tryb pracy aktywnej: 75mA max;
tryb standby: 20mA max (TTL), 5mA max (CMOS);
- napięcie zasilania: 3.3V;
- temperatura pracy: -40÷85°C;
Pamięć ta znajduje zastosowanie tam, gdzie wymagana jest duża gęstość zapisu danych oraz duża szybkość przetwarzania.