IS61C25616AL-10TLI
| Gehäuse: | TSOP2-44 |
| Versorgungsspannungsbereich: | 4,5~5,5V |
| RAM-Speicher: | 256kB |
| Hersteller: | ISSI |
| Architektur: | 16-bit |
| A/D Umwandler: | NEIN |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
| Gehäuse: | TSOP2-44 |
| Versorgungsspannungsbereich: | 4,5~5,5V |
| RAM-Speicher: | 256kB |
| Hersteller: | ISSI |
| Architektur: | 16-bit |
| A/D Umwandler: | NEIN |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
| ETHERNET schnittstelle: | NEIN |
| SPI schnittstelle: | NEIN |
| TWI (I2C) schnittstelle: | NEIN |
| UART/USART schnittstelle: | NEIN |
| CAN schnittstelle: | NEIN |
| D/A Umwandler: | NEIN |
| USB schnittstelle: | NEIN |
| Verschlüsselung: | NEIN |
IS61C25616AL-10TLI - SRAM-Speicher, hergestellt in CMOS-Technologie. Die Information wird asynchron in den Speicher eingegeben und ausgegeben, in Form von 16-Bit-Worten. Der Betriebsmodus des Speichers wird durch die folgenden Signale ausgewählt: Chip Enable (~CE, Speicheraktivierung), Write Enable (~WE, Schreibaktivierung), Output Enable (~OE, Leseaktivierung).
Ausgewählte Eigenschaften:
- Kapazität: 4Mbit;
- Organisation: 16-Bit;
- Zugriffszeit: 10ns;
- TTL-kompatible Ein-/Ausgänge;
- Drei-Zustands-Ausgänge – Möglichkeit, mehrere Speicherchips miteinander zu verbinden;
- Stromverbrauch:
aktiver Betriebsmodus: max. 50mA;
Standby-Modus: max. 20mA (TTL), max. 12mA (CMOS);
- Versorgungsspannung: 5V;
- Betriebstemperatur: -40÷85°C;
Dieser Speicher wird dort eingesetzt, wo eine hohe Datendichte und schnelle Verarbeitung erforderlich sind.