IS61C25616AL-10TLI
Gehäuse: | TSOP2-44 |
Versorgungsspannungsbereich: | 4,5~5,5V |
RAM-Speicher: | 256kB |
Hersteller: | ISSI |
Architektur: | 16-bit |
A/D Umwandler: | NIE |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
Gehäuse: | TSOP2-44 |
Versorgungsspannungsbereich: | 4,5~5,5V |
RAM-Speicher: | 256kB |
Hersteller: | ISSI |
Architektur: | 16-bit |
A/D Umwandler: | NIE |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
SPI schnittstelle: | NIE |
TWI (I2C) schnittstelle: | NIE |
UART/USART schnittstelle: | NIE |
CAN schnittstelle: | NIE |
D/A Umwandler: | NIE |
ETHERNET schnittstelle: | NIE |
USB schnittstelle: | NIE |
Verschlüsselung: | NIE |
IS61C25616AL-10TLI - pamięć SRAM wykonana w technologii CMOS. Informacja jest wprowadzana do pamięci i wydawana z niej w sposób asynchroniczny w postaci słów 16-bitowych. Wybór trybu pracy pamięci odbywa się za pomocą sygnałów: Chip Enable (~CE, uaktywnienie pamięci), Write Enable (~WE, uaktywnienie zapisu), Output Enable (~OE, uaktywnienie odczytu).
Wybrane właściwości:
- pojemność: 4Mbit;
- organizacja: 16-bit;
- czas dostępu: 10ns;
- wyjścia / wejścia kompatybilne z TTL;
- trójstanowe wyjścia – możliwość łączenia ze sobą wielu kostek pamięci;
- pobór prądu:
tryb pracy aktywnej: 50mA max;
tryb standby: 20mA max (TTL), 12mA max (CMOS);
- napięcie zasilania: 5V;
- temperatura pracy: -40÷85°C;
Pamięć ta znajduje zastosowanie tam, gdzie wymagana jest duża gęstość zapisu danych oraz duża szybkość przetwarzania.