IS61WV25616BLL-10TLI

Symbol Micros: PS4096/16/10 tsop
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOP2-44
16-bit Memory IC; 256Kb-SRAM; 3,0~3,6V; -40~85°C; Äquivalent: AS7C34098A-10TIN; CY7C1041DV33-10ZSXI; K6R4016V1D-UI10;

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Parameter
Gehäuse: TSOP2-44
Versorgungsspannungsbereich: 3.0~3.6V
RAM-Speicher: 256kB
Hersteller: ISSI
Architektur: 16-bit
A/D Umwandler: NEIN
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 85°C
Hersteller: Integrated Silicon Solution Inc. Hersteller-Teilenummer: IS61LV25616AL-10TL Gehäuse: TSOP2-44  
Externes Lager:
135 stk.
Anzahl Stück 135+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 3,9699
Standard-Verpackung:
135
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Integrated Silicon Solution Inc. Hersteller-Teilenummer: IS61LV25616AL-10TLI Gehäuse: TSOP2-44  
Externes Lager:
3452 stk.
Anzahl Stück 135+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 3,8251
Standard-Verpackung:
135
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Integrated Silicon Solution Inc. Hersteller-Teilenummer: IS61LV25616AL-10TLI Gehäuse: TSOP2-44  
Externes Lager:
555 stk.
Anzahl Stück 135+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 3,9941
Standard-Verpackung:
135
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Gehäuse: TSOP2-44
Versorgungsspannungsbereich: 3.0~3.6V
RAM-Speicher: 256kB
Hersteller: ISSI
Architektur: 16-bit
A/D Umwandler: NEIN
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 85°C
ETHERNET schnittstelle: NEIN
SPI schnittstelle: NEIN
TWI (I2C) schnittstelle: NEIN
UART/USART schnittstelle: NEIN
CAN schnittstelle: NEIN
D/A Umwandler: NEIN
USB schnittstelle: NEIN
Verschlüsselung: NEIN
Ausführliche Beschreibung

IS61WV25616BLL-10TLI - pamięć SRAM wykonana w technologii CMOS. Informacja jest wprowadzana do pamięci i wydawana z niej w sposób asynchroniczny w postaci słów 16-bitowych. Wybór trybu pracy pamięci odbywa się za pomocą sygnałów: Chip Enable (~CE, uaktywnienie pamięci), Write Enable (~WE, uaktywnienie zapisu), Output Enable (~OE, uaktywnienie odczytu).

Wybrane właściwości:
- pojemność: 4Mbit;
- organizacja: 16-bit;
- czas dostępu: 10ns;
- wyjścia / wejścia kompatybilne z TTL;
- trójstanowe wyjścia – możliwość łączenia ze sobą wielu kostek pamięci;
- pobór prądu:
tryb pracy aktywnej: 45mA max;
tryb standby: 15mA max (TTL), 9mA max (CMOS);
- napięcie zasilania: 3.3V;
- temperatura pracy: -40÷85°C;

Pamięć ta znajduje zastosowanie tam, gdzie wymagana jest duża gęstość zapisu danych oraz duża szybkość przetwarzania.