CY7C1049GN30-10VXI

Symbol Micros: PS4096/8/010 smd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOJ36
8-bit Memory IC; 512Kb-SRAM; 2,2~3,6V; -40~85°C; Äquivalent: K6R4008V1D-KI10; AS7C34096A-10JIN; CY7C1049DV33-10VXI; IS61LV5128AL-10KLI;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter
Gehäuse: SOJ36
Versorgungsspannungsbereich: 2,2~3,6V
RAM-Speicher: 512kB
Hersteller: Cypress
Architektur: 8-bit
A/D Umwandler: NEIN
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 85°C
Hersteller: Cypress Hersteller-Teilenummer: CY7C1049GN30-10VXI RoHS Gehäuse: SOJ36  
Auf Lager:
3 stk.
Anzahl Stück 1+ 4+ 12+ 36+ 120+
Nettopreis (EUR) 3,5903 3,1230 2,9328 2,8248 2,7614
Standard-Verpackung:
12
Hersteller: Cypress Hersteller-Teilenummer: CY7C1049GN30-10VXI RoHS Gehäuse: SOJ36  
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 3,5809 3,0784 2,8835 2,7778 2,7544
Standard-Verpackung:
20/205
Gehäuse: SOJ36
Versorgungsspannungsbereich: 2,2~3,6V
RAM-Speicher: 512kB
Hersteller: Cypress
Architektur: 8-bit
A/D Umwandler: NEIN
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 85°C
ETHERNET schnittstelle: NEIN
SPI schnittstelle: NEIN
TWI (I2C) schnittstelle: NEIN
UART/USART schnittstelle: NEIN
CAN schnittstelle: NEIN
D/A Umwandler: NEIN
USB schnittstelle: NEIN
Verschlüsselung: NEIN
Ausführliche Beschreibung

K6R4008V1D-KI10 - pamięć SRAM wykonana w technologii CMOS. Informacja jest wprowadzana do pamięci i wydawana z niej w sposób asynchroniczny w postaci słów 8-bitowych. Wybór trybu pracy pamięci odbywa się za pomocą sygnałów: Chip Select (~CS, uaktywnienie pamięci), Write Enable (~WE, uaktywnienie zapisu), Output Enable (~OE, uaktywnienie odczytu).

Wybrane właściwości:
- pojemność: 4Mbit;
- organizacja: 8-bit;
- czas dostępu: 10ns;
- wyjścia / wejścia kompatybilne z TTL;
- trójstanowe wyjścia – możliwość łączenia ze sobą wielu kostek pamięci;
- pobór prądu:
tryb pracy aktywnej: 75mA max;
tryb standby: 20mA max (TTL), 5mA max (CMOS);
- napięcie zasilania: 3.3V;
- temperatura pracy: -40÷85°C;

Pamięć ta znajduje zastosowanie tam, gdzie wymagana jest duża gęstość zapisu danych oraz duża szybkość przetwarzania.