CY7C1049GN30-10VXI
| Gehäuse: | SOJ36 |
| Versorgungsspannungsbereich: | 2,2~3,6V |
| RAM-Speicher: | 512kB |
| Hersteller: | Cypress |
| Architektur: | 8-bit |
| A/D Umwandler: | NEIN |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
| Anzahl Stück | 1+ | 4+ | 12+ | 36+ | 120+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,6439 | 3,1697 | 2,9766 | 2,8670 | 2,8027 |
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,6344 | 3,1244 | 2,9266 | 2,8194 | 2,7955 |
| Gehäuse: | SOJ36 |
| Versorgungsspannungsbereich: | 2,2~3,6V |
| RAM-Speicher: | 512kB |
| Hersteller: | Cypress |
| Architektur: | 8-bit |
| A/D Umwandler: | NEIN |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
| ETHERNET schnittstelle: | NEIN |
| SPI schnittstelle: | NEIN |
| TWI (I2C) schnittstelle: | NEIN |
| UART/USART schnittstelle: | NEIN |
| CAN schnittstelle: | NEIN |
| D/A Umwandler: | NEIN |
| USB schnittstelle: | NEIN |
| Verschlüsselung: | NEIN |
K6R4008V1D-KI10 - SRAM-Speicher, hergestellt in CMOS-Technologie. Die Information wird asynchron in den Speicher eingegeben und ausgegeben, in Form von 8-Bit-Worten. Der Betriebsmodus des Speichers wird durch die folgenden Signale ausgewählt: Chip Select (~CS, Speicheraktivierung), Write Enable (~WE, Schreibaktivierung), Output Enable (~OE, Leseaktivierung).
Ausgewählte Eigenschaften:
- Kapazität: 4Mbit;
- Organisation: 8-Bit;
- Zugriffszeit: 10ns;
- TTL-kompatible Ein-/Ausgänge;
- Drei-Zustands-Ausgänge – Möglichkeit, mehrere Speicherchips miteinander zu verbinden;
- Stromverbrauch:
aktiver Betriebsmodus: max. 75mA;
Standby-Modus: max. 20mA (TTL), max. 5mA (CMOS);
- Versorgungsspannung: 3,3V;
- Betriebstemperatur: -40÷85°C;
Dieser Speicher wird dort eingesetzt, wo eine hohe Datendichte und schnelle Verarbeitung erforderlich sind.