CY7C1049GN30-10VXI
| Gehäuse: | SOJ36 |
| Versorgungsspannungsbereich: | 2,2~3,6V |
| RAM-Speicher: | 512kB |
| Hersteller: | Cypress |
| Architektur: | 8-bit |
| A/D Umwandler: | NIE |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
| Anzahl Stück | 1+ | 4+ | 12+ | 36+ | 120+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,5638 | 3,0999 | 2,9112 | 2,8039 | 2,7410 |
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,5544 | 3,0557 | 2,8622 | 2,7573 | 2,7340 |
| Gehäuse: | SOJ36 |
| Versorgungsspannungsbereich: | 2,2~3,6V |
| RAM-Speicher: | 512kB |
| Hersteller: | Cypress |
| Architektur: | 8-bit |
| A/D Umwandler: | NIE |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
| SPI schnittstelle: | NIE |
| TWI (I2C) schnittstelle: | NIE |
| UART/USART schnittstelle: | NIE |
| CAN schnittstelle: | NIE |
| D/A Umwandler: | NIE |
| ETHERNET schnittstelle: | NIE |
| USB schnittstelle: | NIE |
| Verschlüsselung: | NIE |
K6R4008V1D-KI10 - pamięć SRAM wykonana w technologii CMOS. Informacja jest wprowadzana do pamięci i wydawana z niej w sposób asynchroniczny w postaci słów 8-bitowych. Wybór trybu pracy pamięci odbywa się za pomocą sygnałów: Chip Select (~CS, uaktywnienie pamięci), Write Enable (~WE, uaktywnienie zapisu), Output Enable (~OE, uaktywnienie odczytu).
Wybrane właściwości:
- pojemność: 4Mbit;
- organizacja: 8-bit;
- czas dostępu: 10ns;
- wyjścia / wejścia kompatybilne z TTL;
- trójstanowe wyjścia – możliwość łączenia ze sobą wielu kostek pamięci;
- pobór prądu:
tryb pracy aktywnej: 75mA max;
tryb standby: 20mA max (TTL), 5mA max (CMOS);
- napięcie zasilania: 3.3V;
- temperatura pracy: -40÷85°C;
Pamięć ta znajduje zastosowanie tam, gdzie wymagana jest duża gęstość zapisu danych oraz duża szybkość przetwarzania.