628512/10-3.3V TSOP2-44
| Anzahl Stück | 135+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 4,0178 |
K6R4008V1D-UI10 - SRAM-Speicher, hergestellt in CMOS-Technologie. Die Information wird asynchron in den Speicher eingegeben und ausgegeben, in Form von 8-Bit-Worten. Der Betriebsmodus des Speichers wird durch die folgenden Signale ausgewählt: Chip Select (~CS, Speicheraktivierung), Write Enable (~WE, Schreibaktivierung), Output Enable (~OE, Leseaktivierung).
Ausgewählte Eigenschaften:
- Kapazität: 4Mbit;
- Organisation: 8-Bit;
- Zugriffszeit: 10ns;
- TTL-kompatible Ein-/Ausgänge;
- Drei-Zustands-Ausgänge – Möglichkeit, mehrere Speicherchips miteinander zu verbinden;
- Stromverbrauch:
aktiver Betriebsmodus: max. 75mA;
Standby-Modus: max. 20mA (TTL), max. 5mA (CMOS);
- Versorgungsspannung: 3,3V;
- Betriebstemperatur: -40÷85°C;
Dieser Speicher wird dort eingesetzt, wo eine hohe Datendichte und schnelle Verarbeitung erforderlich sind.