SA555DR HXY MOSFET

Symbol Micros: T 555 d HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
Timer; Bipolar; 7,5 mA; 4,5V~16V; 0°C ~ 70°C; Äquivalent: NE555D; NE555DT; NE555DX; NE555DR; NE555DE4; NE555DG4; NE555DRE4; NE555DRG4; LM555D-SMD; LM555CM/NOPB; LM555CMX/NOPB;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter
Betriebsstrom: 7,5mA
Hersteller: HXY MOSFET
Versorgungsspannungsbereich: 4,5V ~ 16V
Betriebstemperatur (Bereich): 0°C ~ 70°C
Gehäuse: SOP08
Integrierten Schaltkreises-Typ: Timer
Anzahl der Timer: 1
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: SA555DR RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2370 0,1199 0,0722 0,0571 0,0527
Standard-Verpackung:
500
Betriebsstrom: 7,5mA
Hersteller: HXY MOSFET
Versorgungsspannungsbereich: 4,5V ~ 16V
Betriebstemperatur (Bereich): 0°C ~ 70°C
Gehäuse: SOP08
Integrierten Schaltkreises-Typ: Timer
Anzahl der Timer: 1