SI2308BDS
Symbol Micros:
TSI2308bds
Gehäuse: SOT23
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 192mOhm; 2,3A; 1,66W; -55°C~150°C; Substitute: SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-GE3CT-ND;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 192mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,66W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 192mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,66W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
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