STD26P3LLH6 JSMICRO
Symbol Micros:
TSTD26P3LLH6 JSM
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 18mOhm; 55A; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: STD26P3LLH6 STMicroelectronics
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 18mOhm |
| Max. Drainstrom: | 55A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 37,5W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | JSMICRO |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 18mOhm |
| Max. Drainstrom: | 55A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 37,5W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | JSMICRO |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Montage: | SMD |
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