STD26P3LLH6 JSMICRO

Symbol Micros: TSTD26P3LLH6 JSM
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 18mOhm; 55A; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: STD26P3LLH6 STMicroelectronics

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 55A
Maximaler Leistungsverlust: 37,5W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: STD26P3LLH6 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6096 0,3865 0,3037 0,2761 0,2646
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 55A
Maximaler Leistungsverlust: 37,5W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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