12N65

Symbol Micros: T12N65 LGE
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 12A; 0,54Ohm; 33.2W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65; LNF12N65; PTF12N65; SLF12N65C; CEF12N65; RS12N65F; AOTF12N65; BRFL12N65; SMF12N65; LNDN12N65; LNC12N65; HFS12N65S; SMIRF12N65T2TL; FHP12N65C; TSF12N65M; KIA12N65H; FIR12N65FG; SE12N65F; JSC12N65FT; SVF12N65F; TMA12N65H; SPC12N65G; FIR12N65FG; IXFP12N65X2M; JSC12N65FT; SMIRF12N65T1TL; CS12N65FA9H; SVF12N65CKL; CS12N65FA9R; SVF12N65F(S); 12N65KL-TF1-T; JSC12N65FC-220MF; JSC12N65FT-220MF;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 540mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 33W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: 12N65 RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
97 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,9046 0,5668 0,4442 0,4187 0,3933
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 540mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 33W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole