15T65SD JUXING

Symbol Micros: T15T65sd JUX
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
IGBT-Transistor ; 650V; 20V; 30A; 60A; 37,5W; 4,5V~6,5V; 21,1nC; -40°C~175°C;

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Parameter
Gate-Ladung: 21,1nC
Maximale Verlustleistung: 37,5W
Max. Kollektor-Strom: 30A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: JUXING
Hersteller: JUXING Hersteller-Teilenummer: 15T65SD RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1299 0,8292 0,6648 0,5708 0,5379
Standard-Verpackung:
50
Gate-Ladung: 21,1nC
Maximale Verlustleistung: 37,5W
Max. Kollektor-Strom: 30A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: JUXING
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT