2N3055G ONS

Symbol Micros: T2N3055 ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3
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Transistor GP BJT NPN 60V 15A Transistor GP BJT NPN 60V 15A
Parameter
Verlustleistung: 115W
Grenzfrequenz: 2,5MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO 3
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N3055G Gehäuse: TO 3  
Externes Lager:
650 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,2178
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N3055G Gehäuse: TO 3  
Externes Lager:
395 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,2726
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N3055G Gehäuse: TO 3  
Externes Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,1924
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 115W
Grenzfrequenz: 2,5MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO 3
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 200°C
Transistor-Typ: NPN

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