2N3055 TO247 LGE

Symbol Micros: T2N3055 to247 LGE

Gehäuse: TO247

Transistor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C; Transistor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C;

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Parameter

Verlustleistung:	115W
Grenzfrequenz:	2,5MHz
Stromverstärkungsfaktor:	70
Hersteller:	LGE
Gehäuse:	TO3
Max. Kollektor-Strom [A]:	15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	70V

Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: 2N3055 TO-3P RoHS Gehäuse: TO247

Auf Lager:

5175 stk.

Anzahl Stück	1+	2+	5+	20+
Nettopreis (EUR)	0,8824	0,6923	0,5374	0,4201

Verlustleistung:	115W
Grenzfrequenz:	2,5MHz
Stromverstärkungsfaktor:	70
Hersteller:	LGE
Gehäuse:	TO3
Max. Kollektor-Strom [A]:	15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	70V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 200°C
Transistor-Typ:	NPN