2N3906
Symbol Micros:
T2N3906
Gehäuse: TO92
PNP 200mA 40V 350mW 250MHz PNP 200mA 40V 350mW 250MHz
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Parameter
Verlustleistung: | 625mW |
Grenzfrequenz: | 250MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 400 |
Hersteller: | LGE |
Gehäuse: | TO92 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
Hersteller: LGE
Hersteller-Teilenummer: 2N3906 RoHS
Gehäuse: TO92bul
Datenblatt
Auf Lager:
2393 stk.
Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 4000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0684 | 0,0261 | 0,0149 | 0,0108 | 0,0097 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: 2N3906TA
Gehäuse: TO92
Externes Lager:
16000 stk.
Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0324 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: 2N3906TAR
Gehäuse: TO92
Externes Lager:
14000 stk.
Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0341 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: 2N3906TA
Gehäuse: TO92
Externes Lager:
300 stk.
Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0466 |
Verlustleistung: | 625mW |
Grenzfrequenz: | 250MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 400 |
Hersteller: | LGE |
Gehäuse: | TO92 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | PNP |
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