2N5400 LGE

Symbol Micros: T2N5400 LGE
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
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Transistor PNP; Bipolar; Darlington; 120V; 0,6A; 625mW; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; Bipolar; Darlington; 120V; 0,6A; 625mW; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 625mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 180
Hersteller: LGE
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 120V
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: 2N5400 RoHS Gehäuse: TO92bul Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1242 0,0474 0,0267 0,0221 0,0207
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Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 625mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 180
Hersteller: LGE
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 120V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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