2N5400 LGE
Symbol Micros:
T2N5400 LGE
Gehäuse: TO92
Transistor PNP; Bipolar; Darlington; 120V; 0,6A; 625mW; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; Bipolar; Darlington; 120V; 0,6A; 625mW; -55°C ~ 150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 625mW |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 180 |
| Hersteller: | LGE |
| Gehäuse: | TO92 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 120V |
| Verlustleistung: | 625mW |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 180 |
| Hersteller: | LGE |
| Gehäuse: | TO92 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 120V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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