2N5401 DIOTEC

Symbol Micros: T2N5401 DIOTEC
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92ammoformed
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General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
Parameter
Verlustleistung: 625mW
Grenzfrequenz: 400MHz
Stromverstärkungsfaktor: 240
Hersteller: DIOTEC
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 150V
Hersteller: DIOTEC Hersteller-Teilenummer: 2N5401 RoHS Gehäuse: TO92ammoformed Datenblatt
Auf Lager:
3500 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 4000+
Nettopreis (EUR) 0,0905 0,0358 0,0210 0,0154 0,0139
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Standard-Verpackung:
4000
Verlustleistung: 625mW
Grenzfrequenz: 400MHz
Stromverstärkungsfaktor: 240
Hersteller: DIOTEC
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 150V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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