2N5401 DIOTEC

Symbol Micros: T2N5401 DIOTEC
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
Parameter
Verlustleistung: 625mW
Stromverstärkungsfaktor: 240
Grenzfrequenz: 400MHz
Hersteller: DIOTEC
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 150V
Hersteller: DIOTEC Hersteller-Teilenummer: 2N5401 RoHS Gehäuse: TO92ammoformed Datenblatt
Auf Lager:
3410 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 4000+
Nettopreis (EUR) 0,0972 0,0385 0,0226 0,0166 0,0150
Standard-Verpackung:
4000
Hersteller: DIOTEC Hersteller-Teilenummer: 2N5401 RoHS Gehäuse: TO92ammoformed Datenblatt
Auf Lager:
490 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 4000+
Nettopreis (EUR) 0,0972 0,0385 0,0226 0,0166 0,0150
Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 625mW
Stromverstärkungsfaktor: 240
Grenzfrequenz: 400MHz
Hersteller: DIOTEC
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 150V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP