2N5551 JSMICRO

Symbol Micros: T2N5551 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
NPN-Transistor; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G;
Parameter
Verlustleistung: 350mW
Grenzfrequenz: 300MHz
Stromverstärkungsfaktor: 300
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: 2N5551 RoHS Gehäuse: TO92bul Datenblatt
Auf Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1065 0,0424 0,0249 0,0183 0,0164
Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 350mW
Grenzfrequenz: 300MHz
Stromverstärkungsfaktor: 300
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN