2N6027

Symbol Micros: T2N6027

Gehäuse: TO92

PUT-Transistor; 300 mW; -50 °C ~ 100 °C; Äquivalent: 2N6027G; 2N6027RL1G; 2N6027RLRAG; 2N6027G-T92-B;

Parameter

Max. Drainstrom:	150mA
Maximaler Leistungsverlust:	300mW
Gehäuse:	TO92
Hersteller:	UTC
Msx. Drain-Gate Spannung:	40V
Transistor-Typ:	PUT
Betriebstemperatur (Bereich):	-50°C ~ 100°C

Hersteller: UTC Hersteller-Teilenummer: 2N6027G-T92-B RoHS Gehäuse: TO92ammoformed Datenblatt

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1000 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3602	0,1989	0,1566	0,1450	0,1390

Max. Drainstrom:	150mA
Maximaler Leistungsverlust:	300mW
Gehäuse:	TO92
Hersteller:	UTC
Msx. Drain-Gate Spannung:	40V
Transistor-Typ:	PUT
Betriebstemperatur (Bereich):	-50°C ~ 100°C
Montage:	THT