2N6027

Symbol Micros: T2N6027
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
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PUT-Transistor; 300 mW; -50 °C ~ 100 °C; Äquivalent: 2N6027G; 2N6027RL1G; 2N6027RLRAG; 2N6027G-T92-B;
Parameter
Max. Drainstrom: 150mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: TO92
Hersteller: UTC
Msx. Drain-Gate Spannung: 40V
Transistor-Typ: PUT
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 100°C
Hersteller: UTC Hersteller-Teilenummer: 2N6027G-T92-B RoHS Gehäuse: TO92ammoformed Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,3709 0,2063 0,1630 0,1479 0,1431
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Standard-Verpackung:
500
Max. Drainstrom: 150mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: TO92
Hersteller: UTC
Msx. Drain-Gate Spannung: 40V
Transistor-Typ: PUT
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 100°C
Montage: THT

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