2N6027
Symbol Micros:
T2N6027
Gehäuse: TO92
PUT-Transistor; 300 mW; -50 °C ~ 100 °C; Äquivalent: 2N6027G; 2N6027RL1G; 2N6027RLRAG; 2N6027G-T92-B;
Parameter
Max. Drainstrom: | 150mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
Gehäuse: | TO92 |
Hersteller: | UTC |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | PUT |
Betriebstemperatur (Bereich): | -50°C ~ 100°C |
Max. Drainstrom: | 150mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
Gehäuse: | TO92 |
Hersteller: | UTC |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | PUT |
Betriebstemperatur (Bereich): | -50°C ~ 100°C |
Montage: | THT |
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